CZ硅单晶

作品数：11被引量：12H指数：2
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高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响被引量：2
《稀有金属》2012年第1期120-123,共4页李宗峰 周旗钢 何自强 冯泉林 杜娟 刘斌 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401)资助
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h...
关键词：直拉硅单晶 大直径 空洞型微缺陷 晶体原生粒子缺陷 高温退火 
掺锗对CZ法掺镓单晶硅电池片的效率影响被引量：1
《太阳能》2010年第1期29-31,共3页石坚 俞峰峰 朱坚武 邵爱军 
研究了CZ法单晶硅的能级改进对电池片效率的影响。在试验结论的基础上得出:对于单晶硅衬底的电池片,掺锗对单晶硅电池片的效率产生极大的影响。
关键词：CZ硅单晶 掺镓 太阳电池 掺锗 
ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制
《半导体技术》2005年第4期16-19,共4页乔治 候哲哲 刘彩池 
国家自然科学资助项目(60076001);河北省自然科学基金(50032101)
详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。
关键词：超大规模集成电路 直拉硅单晶 空洞型原生缺陷 快速退火 
中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化被引量：1
《半导体技术》2005年第3期48-49,共2页张继荣 薛佳伟 佟丽英 
CZ 硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650￣700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值。
关键词：硅单晶 电阻率 辐照 缺陷 热处理 
掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究
《河北工业大学学报》2004年第1期1-5,共5页牛新环 张维连 吕海涛 蒋中伟 
国家自然科学基金资助项目 (59772037);河北省自然科学基金资助项目 (500016)
利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60～0.65.
关键词：直拉法 硅锗单晶 杂质分布 分凝系数 晶体生长 
CZ硅单晶中旋涡缺陷对低频大功率管制造的影响
《半导体技术》2000年第2期43-45,共3页董尧德 
CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致 EB结和 CB结的软击穿现象进行了研究 ,并采取了适当措施 。
关键词：旋涡缺陷 器件制作 CZ硅单晶 大功率器件 低频 
CZ硅单晶中原生缺陷的特性被引量：3
《半导体技术》1999年第3期41-44,共4页施锦行 
描述了ＣＺ硅单晶中原生缺陷的分类、形成机理及它对相关器件性能的影响，并就其控制和消除的方法进行了讨论。
关键词：硅 原生缺陷 缺陷控制 
Cz硅单晶中氧含量轴向分布的测试研究
《四川有色金属》1998年第4期19-22,共4页梁洪 
本文从C_z硅单晶中氧含量的测试实验中找出了我厂4英寸电路级C_z硅单晶中氧的轴向分布规律,为生产检测中按规定氧含量切割单晶提供了准确的实验数据.另外,本文还对影响C_z硅单晶氧含量及轴向分布的因素作了初步的探讨.
关键词：硅单晶 氧含量 轴向分布 直拉硅单晶 
大直径CZ硅单晶的控氧技术被引量：4
《半导体技术》1998年第6期46-49,共4页施锦行 
描述了拉晶条件和磁拉法对大直径ＣＺ硅单晶中氧的控制作用，并讨论了近期发展的ＣＣＺ法和ＬＦＣＺ法中与控氧相关的问题。
关键词：大直径 硅单晶 磁拉法 控氧 
微氮CZ硅单晶中氧沉积的研究
《四川大学学报（自然科学版）》1998年第1期28-31,共4页潘飞蹊 游志朴 
硅材料科学国家重点实验室资助
通过对微氮ＣＺ硅单晶中氧沉积性质的研究表明，在氮—氮对（Ｎ—Ｎ）浓度为９×１０１５／ｃｍ３且经去热施主预热处理的样品中，氮对氧的沉积没有增强作用．因此，在实用的微氮ＣＺ硅单晶中的氮杂质不会对三步本征吸杂产生不利影响．
关键词：氮 杂质 氧沉积 本征吸杂 硅 单晶 
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