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检索条件："作者=艾伟伟 "
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电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响被引量：8
《激光与红外》2006年第6期491-494,503,共5页艾伟伟 郭霞 刘斌 董立闽 刘莹 宋颖娉 沈光地 
北京市教育委员会科技发展计划重点项目(KZ200510005003);国家基金(60506012);科技新星计划项目(2005A11);北京优秀人才计划项目(20051D0501502)
文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以...
关键词：GAN 发光二极管 可靠性 电流拥挤 
InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究被引量：7
《半导体光电》2006年第3期240-243,共4页刘诗文 郭霞 艾伟伟 宋颖娉 顾晓玲 张蕾 沈光地 
国家"973"计划项目(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北工大博士启动基金项目(kz0204200387);国家自然科学基金项目(60407009);北京自然科学基金项目(4032007)
对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温...
关键词：氮化镓 蓝光发光二极管 理想因子 
Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究被引量：7
《微纳电子技术》2006年第3期125-129,共5页宋颖娉 郭霞 艾伟伟 董立闽 沈光地 
国家基金(60506012);北京市教委(KZ200510005003);科技新星计划(2005A11);北京优秀人才计划(20051D0501502)
研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大...
关键词：感应耦合等离子体刻蚀 GaN 刻蚀速率 选择比 垂直度 
小麦氮素吸收利用的调控机制研究进展被引量：2
《植物生理学报》2024年第5期784-798,共15页艾伟伟 魏淑红 
国家自然科学基金青年基金项目(31501304);西华师范大学国家级一般培育项目(19B039)。
小麦(Triticum aestivum)供给人类基本的营养物质。人口不断增长需要更高的粮食产量,施加氮肥可实现小麦增产,但大部分氮肥未被作物吸收利用,而是流失到环境中并造成严重的环境污染,因此提高小麦氮素利用效率对农业可持续发展至关重要...
关键词：小麦 氮素利用效率 生理和分子基础 调控机制 
基于思辨能力培养的英语专业写作创新教法探究
《中国科技期刊数据库 科研》2022年第10期51-54,共4页艾伟伟 
写作是关于思维的训练、表达的训练,写作能力是接受正规教育后发展而成的一种能力,是英语学习者跨文化交际能力的重要组成部分。从英语工具性到人文性的转变,从千篇一律到多样化和个性化的转型,思辨能力培养的重要性愈发凸出,已经成为...
关键词：英语专业 大学英语教学 写作教学 思辨能力 
目的论观照下的公示语翻译被引量：2
《企业家天地（下旬刊）》2008年第5期139-140,共2页艾伟伟 
本文从目的论的角度解析了常见公示语翻译的错误案例,并给出了参考译文。目的论是20世纪80年代由德国两名著名的翻译理论家提出来的,它包括三个法则:目的法则、连贯法则和忠实法则。从目的论的这三个法则来解析公示语的英译有助于对原...
关键词：公示语 目的论 翻译失误 
GaN基发光二极管的可靠性研究进展被引量：10
《半导体技术》2006年第3期161-165,共5页艾伟伟 郭霞 刘斌 宋颖娉 刘莹 沈光地 
国家863重点项目(2004AA311030)北京市教育委员会科技发展计划重点项目(KZ200510005003)
高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证。本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面...
关键词：氮化镓 发光二极管 退化机理 可靠性 
两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1635-1639,共5页宋颖娉 郭霞 艾伟伟 周跃平 沈光地 
国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市教委(批准号:KZ200510005003);北京市科技新星计划(批准号:2005A11);北京市优秀人才计划(批准号:20051D0501502)资助项目~~
通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采...
关键词：两步刻蚀法 GaN.LED 刻蚀损伤 PL特性 I-V特性 
高含量CO_(2)对不同品种小麦光合性能的影响
《江苏农业学报》2025年第2期231-241,共11页艾伟伟 林珊 张月 吴一超 杨在君 魏淑红 
国家自然科学青年基金项目(31501304);西华师范大学国家级一般培育项目(19B039)。
以内麦9、川麦44和中国春为试验材料,以高含量(约900μmol/mol)CO_(2)为处理,环境含量(约410μmol/mol)CO_(2)为对照,测定叶片光合参数、叶绿素相对含量(SPAD)、叶绿素荧光参数,探讨不同品种小麦对CO_(2)含量升高的响应。结果显示,高含...
关键词：小麦 CO_(2) 光合作用 叶绿素相对含量 叶绿素荧光 
Cl_2/BCl_3ICP刻蚀蓝宝石研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2006年第3期243-246,共4页宋颖娉 郭霞 艾伟伟 董立闽 沈光地 
国家基金(No.60506012);北京市教委(No.KZ200510005003);科技新星计划(No.2005A11);北京优秀人才计划(No.20051D0501502)
由于GaN单晶制备比较困难,通常氮化物光电子器件都是制备在蓝宝石衬底上的,而氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别,使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大,影响了器件的发光效率和寿命。PSS技术可以有效地减少外延...
关键词：ICP 刻蚀 蓝宝石 刻蚀速率 
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