国家重点基础研究发展计划(G2000-03-6601)

作品数：9被引量：17H指数：2
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基于图形衬底生长的GaN位错机制分析被引量：3
《光电子．激光》2008年第4期478-481,共4页江洋 罗毅 薛小琳 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军 
国家自然科学基金资助项目(60223001;60244001;60290084);国家"973"基础科学研究资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目(2001AA313130;2004AA31G060);北京市科委资助项目(D0404003040321)
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;...
关键词：GaN金属有机气相外延 图形衬底 位错 缺陷选择性腐蚀 
基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量：1
《光电子．激光》2007年第9期1078-1081,共4页薛小琳 韩彦军 张贤鹏 江洋 马洪霞 刘中涛 罗毅 
国家自然科学基金资助项目(60223001;60244001;60290084);国家"973"基础科学研究资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目(2001AA313130;2004AA31G060);北京市科委资助项目(D0404003040321)
利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al...
关键词：蓝宝石(Al2O3) 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ar/BCl3 表面平整度 刻蚀速率 
基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触被引量：3
《光电子．激光》2006年第6期650-653,共4页马洪霞 韩彦军 申屠伟进 张贤鹏 罗毅 钱可元 
国家自然科学基金资助项目(60223001;60244001和60290084);国家"973"基础科学研究资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目(2001AA313130;2004AA31G060);北京市科委资助项目(D0404003040321)
提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样...
关键词：GAN 欧姆接触 Ni/Ag/Pt 俄歇电子能谱(AES) 
端面反射对集成光源高频特性的影响及其抑制被引量：2
《光电子．激光》2005年第10期1178-1181,共4页蔡鹏飞 熊兵 王健 田建柏 孙长征 罗毅 
国家自然科学基金资助项目(60244001;60223001;60290084);国家高技术研究发展"863"计划资助项目(2001AA311192);国家重点基础研究发展"973"规划资助项目(G2000-03-6601)
研究了分布反馈型半导体激光器(DFB-LD)与电吸收(EA)调制器集成光源中调制器端面残余反射对器件高频特性的影响及其消除。针对在DFB-LD/EA集成光源小信号调制响应曲线低频段观察到的异常起伏,测量了DFB-LD的强度噪声谱,比较了不同反向...
关键词：集成光源 分布反馈型半导体激光器(DFB-LD) 电吸收(EA)调制器 强度噪声谱 端面镀膜 
刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性被引量：1
《中国激光》2005年第8期1031-1034,共4页王健 熊兵 孙长征 郝智彪 罗毅 
国家自然科学基金(60223001;60244001;60290084);国家863计划(2001AA312190;2002AA311192);国家973计划(G2000-03-6601)资助项目。
利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面。在此基础...
关键词：激光技术 刻蚀端面激光器 ALGAINAS Cl2/BCl3/CH4 感应耦合等离子体 
硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用被引量：1
《半导体光电》2004年第6期477-479,483,共4页孙洋 钱可元 韩彦军 蔡鹏飞 罗毅 雷建都 童爱军 
国家"973"计划项目 (G2 0 0 0 - 0 3 - 660 1 ) ;国家"863"计划项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 )
　基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。
关键词：硅材料 湿法刻蚀 凸角补偿 微分析芯片 
等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究被引量：3
《半导体光电》2004年第5期380-383,387,共5页张立江 熊兵 王健 孙长征 钱可元 罗毅 
国家"973"计划资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 )
　利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量...
关键词：减反射膜 等离子体增强化学气相沉积 低反射率 
同一外延层结构高速DFB激光器/EA调制器集成光源的研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第z1期19-22,共4页熊兵 王健 孙长征 罗毅 
国家自然科学基金(批准号96525407及69896260-1);"973"国家重点基础研究项目(批准号G2000-03-6601)资助项目
对利用同一外延层结构实现ＤＦＢ激光器与ＥＡ调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配．在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良...
关键词：同一外延层 DFB激光器 EA调制器 高速集成光源. 
InP材料直接键合技术被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1217-1221,共5页李宁 韩彦军 郝智彪 孙长征 罗毅 
国家自然科学基金 ( 96 5 2 5 40 7;6 9896 2 6 0 -1) ;国家"八六三"高技术计划项目 ( 86 3-30 7-0 4-0 6 ;86 3-30 7-11-3( 0 2 ) );"九七三"国家重点基础研究发展规划 ( G2 0 0 0 -0 3-6 6 0 1)资助项目~~
研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键...
关键词：直接键合 半导体激光器 磷化铟 半导体材料 
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