云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(61334002)

国家自然科学基金(61334002): 作品数：35被引量：36H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：张进成过润秋冯兰胜段宝兴杨银堂更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国科学院微电子研究所国家国防科技工业局更多>>; 相关期刊：《微电子学》《物理学报》《西安电子科技大学学报》《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：GANALGAN/GAN_HEMTALGAN/GANSCHOTTKYHEMTS更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

AlGaN/GaN HEMT的恒压电应力退化研究被引量：1: 《微电子学》2020年第2期276-280,共5页张璐宁静王东沈雪董建国张进成; 国家自然科学基金资助项目(61334002);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2016ZDJC-09);陕西省重点研发项目(2017ZDCXL-GY-11-03)。; 研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种AlGaN/GaN HEMT。对该器件分别采用恒压开态应力和恒压关态应力,研究了与直流特性相关的重要参数的陷阱产生规律。实验结果表明,在开态应力下...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 电应力退化热载流子效应逆压电效应

晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响: 《半导体光电》2019年第6期781-785,819,共6页常永明郝跃; 国家自然科学基金项目(61334002); 由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文...; 关键词：氮化铟各向异性负微分迁移率耿氏二极管

A New Parameter Extraction Method for Schottky Barrier Diodes被引量：2: 《Chinese Journal of Electronics》2019年第3期497-502,共6页CHANG Yongming MAO Wei HAO Yue; supported by the national Natural Science Foundation of China(No.61334002,No.61574112); A new parameter extraction method for Schottky barrier diodes is provided in this paper.Since the current model of Schottky barrier diodes is a nonlinear self-consistent equation, the nonlinear inconsistent equations ...; 关键词：SCHOTTKY BARRIER DIODES PARAMETER EXTRACTION GENETIC algorithm

Theoretical analytic model for RESURF AlGaN/GaN HEMTs被引量：1: 《Chinese Physics B》2019年第2期395-399,共5页Hao Wu Bao-Xing Duan Luo-Yun Yang Yin-Tang Yang; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2015CB351906);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61774114);the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61334002);the 111 Project,China(Grant No.B12026); In this paper, we propose a two-dimensional(2D) analytic model for the channel potential and electric field distribution of the RESURF AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs). The model is constructed by t...; 关键词：RESURF ALGAN/GAN HEMTS two-dimensional ANALYTIC model potential DISTRIBUTION electric field DISTRIBUTION

Low specific on-resistance GaN-based vertical heterostructure field effect transistors with nonuniform doping superjunctions被引量：2: 《Chinese Physics B》2018年第4期426-431,共6页Wei Mao Hai-Yong Wang Peng-Hao Shi Xiao-Fei Wang Ming Du Xue-Feng Zheng Chong Wang Xiao-Hua Ma Jin-Cheng Zhang Yue Hao; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61574112,61334002,61474091,and 61574110);the Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province,China(Grant No.605119425012); A novel Ga N-based vertical heterostructure field effect transistor（HFET） with nonuniform doping superjunctions（non-SJ HFET） is proposed and studied by Silvaco-ATLAS,for minimizing the specific on-resistance（RonA...; 关键词：GaN-based vertical HFETs nonuniform doping superjunctions minimized specific on-resistance breakdown voltage

高性能X波段增强型凹栅Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT被引量：1: 《微电子学与计算机》2017年第11期94-98,共5页张蓉马晓华罗卫军刘辉孙朋朋耿苗; 国家自然科学基金(61334002); 在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25μm的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD(原子层淀积)Al_2O_3介质层的方法研制器件.研制的增强型MIS-HEMT器件的阈值电压为+2.2V,饱和电流为512.3mA/mm.通过变频变温C-V方法测试提...; 关键词：增强型 GaN MIS-HEMTs 电容-电压(C-V) 功率

绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术被引量：1: 《电力电子技术》2017年第8期65-70,共6页黄森王鑫华康玄武刘新宇; 中科院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSWJSC012,Y7YT024002);国家自然科学基金(61474138,11634002,61534007,61527816,61404163,61334002)~~; 绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态...; 关键词：功率开关器件绝缘栅氮化镓

Improvement of reverse blocking performance in vertical power MOSFETs with Schottky–drain-connected semisuperjunctions被引量：1: 《Chinese Physics B》2017年第4期425-432,共8页毛维王海永王晓飞杜鸣张金风郑雪峰王冲马晓华张进成郝跃; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61574112,61334002,61306017,61474091,and 61574110);the Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China(Grant No.605119425012); To enhance the reverse blocking capability with low specific on-resistance,a novel vertical metal-oxidesemiconductor field-effect transistor（MOSFET） with a Schottky-drian（SD） and SD-connected semisuperjunctions（S...; 关键词：vertical MOSFET Schottky-drain-connected semisuperjunction （SD-D-semi-SJ） reverse block- ing specific on-resistance

MOCVD反应室流场分析及其对GaN生长的影响被引量：2: 《西安电子科技大学学报》2017年第1期171-175,共5页冯兰胜过润秋张进成; 国家自然科学基金资助项目(61334002);国家重大科技专项资助项目(2011ZX01002-001); 为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的GaN材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长GaN材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对GaN生长过程中的气相传...; 关键词：GAN 金属有机[化合物]CVD 反应室结构反应动力学

Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor: 《Chinese Physics B》2017年第1期433-437,共5页Ling Yang Xiao-Wei Zhou Xiao-Hua Ma Ling Lv Yan-Rong Cao Jin-Cheng Zhang Yue Hao; supported by the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61334002) and the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61604114,61404097,and 61504099); The new electrical degradation phenomenon of the AlGaN/GaN high electron mobility transistor（HEMT） treated by low power fluorine plasma is discovered. The saturated current, on-resistance, threshold voltage, gate le...; 关键词：AlGaN/GaN HEMT low plasma power fluorine implant ion early electrical reliability

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