国家重点基础研究发展计划(2006CB6049)

作品数：30被引量：64H指数：4
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相关作者：谢自力张荣郑有炓刘斌韩平更多>>
相关机构：南京大学中国科学院江苏省光电信息功能材料重点实验室北京科技大学更多>>
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Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长被引量：1
《功能材料》2011年第3期509-511,515,共4页颜怀跃 修向前 华雪梅 刘战辉 周安 张荣 谢自力 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA03A198);国家自然科学基金资助项目(60721063,60820106003,60731160628);南京大学扬州光电研究院基金资助项目(2008008)
在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质。分析结果表明,GaN...
关键词：氢化物气相外延 HVPE SI GAN 
阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
《功能材料》2010年第8期1302-1305,共4页于治国 刘荣海 周建军 赵红 华雪梅 刘斌 谢自力 修向前 宋雪云 陈鹏 韩平 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金资助项目(60721063;60676057;60731160628;60820106003);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008019;BK2009178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目(2008001;2008003)
研究了在草酸、磷酸不同电压条件下,阳极氧化铝(AAO)的孔结构特点。在较高电压下(60～120V),孔发生倾斜,并随电压的增大而加剧。通过建立与阻挡层/金属界面的应力有关的流模型对这一现象进行解释,并发现孔倾斜是AAO从无序到有序的一个...
关键词：阳极多孔氧化铝 斜孔 应力 流模型 
PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究被引量：20
《微纳电子技术》2010年第5期267-272,303,共7页陶涛 苏辉 谢自力 张荣 刘斌 修向前 李毅 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628;60820106003;60990311);江苏省自然科学基金(BK2008019);南京大学扬州光电研究院研发基金
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面...
关键词：等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 生长速率 折射率 硅衬底 
立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：4
《中国科学（G辑）》2010年第1期82-85,共4页赵传阵 修向前 张荣 谢自力 刘斌 刘占辉 颜怀跃 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省创新学者攀登项目(编号:BK2008019)资助
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟...
关键词：GAN 氢化物气相外延 流体动力学 
采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态
《中国科学（G辑）》2009年第11期1623-1627,共5页谢自力 张荣 张彤 周元俊 刘斌 张曾 李弋 宋黎红 崔颖超 傅德颐 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展规划(编号:2006AA03A118,2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60676057,60731160628,60776001,60820106003);江苏省自然科学基金(编号:BK2008019);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目
利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易空间图上的弛豫方...
关键词：高分辨X射线衍射 倒易空间图 应变 弛豫 
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
《物理学报》2009年第12期8506-8510,共5页崔影超 谢自力 赵红 梅琴 李弋 刘斌 宋黎红 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628;60820106003);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019)资助的课题~~
采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5mi...
关键词：a面GaN 堆垛层错 极性 
MOCVD生长的全组分InGaN材料被引量：2
《微纳电子技术》2009年第5期274-278,300,共6页徐峰 吴真龙 邵勇 徐洲 刘启佳 刘斌 谢自力 陈鹏 
南京大学扬州光电研究院研发基金(2008003);国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家自然科学基金(6039072;60776001;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性质,XRD和Hall等测...
关键词：INGAN X射线衍射 原子力显微镜 X射线光电子能谱 喇曼散射 
生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
《物理学报》2009年第10期7194-7198,共5页刘启佳 邵勇 吴真龙 徐洲 徐峰 刘斌 谢自力 陈鹏 
南京大学扬州光电研究院研发基金(批准号:2008002);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60776001;60820106003);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019)资助的课题~~
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高,合金中的In组分单调降低,而A...
关键词：AlGaInN 金属有机物化学气相沉积 生长温度 
薄膜材料研究中的XRD技术被引量：7
《微纳电子技术》2009年第2期108-114,共7页周元俊 谢自力 张荣 刘斌 李弋 张曾 傅德颐 修向前 韩平 顾书林 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628)
晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量...
关键词：X射线衍射 晶格参数 应力 应变 位错密度 Mosaic模型 
n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2
《中国科学（G辑）》2008年第9期1221-1227,共7页张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60731160628,60676057);教育部重大项目(编号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省自然科学基金(编号:BK2005210)资助项目
系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表...
关键词：N型GAN 表面形貌 霍尔效应 光致发光 
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