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国家自然科学基金(50032010): 作品数：21被引量：97H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：杨德仁阙端麟马向阳余学功崔灿更多>>; 相关机构：浙江大学河北工业大学波兰科学院更多>>; 相关期刊：《河北工业大学学报》《物理学报》《太阳能学报》《Journal of Rare Earths》更多>>; 相关主题：直拉硅氧沉淀氮硅单晶掺氮更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学动力工程及工程热物理更多>>

快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响被引量：2: 《材料科学与工程学报》2006年第5期691-693,699,共4页马强杨德仁马向阳崔灿; 国家自然科学基金重点资助项目(50032010);国家杰出青年基金资助项目(60225010);863项目(2002AA3Z1111)资助项目; 本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消...; 关键词：直拉硅单晶氧沉淀快速热处理工艺 CMOS工艺

Effects of Germanium on Movement of Dislocations in p-Type Czochralski Silicon被引量：1: 《Journal of Rare Earths》2006年第z1期83-86,共4页Li Dongsheng Zhao Yiying Yang Deren; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (50032010 and 60225010); By indentation at room temperature followed by annealing at high temperatures, the pinning effect of germanium on dislocations in germanium-doped Czochralski silicon was investigated. Experimental results show that th...; 关键词：CZOCHRALSKI SILICON germanium-doped DISLOCATION

氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2004年第8期951-955,共5页崔灿杨德仁马向阳余学功李立本阙端麟; 国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 ) ;国家杰出青年基金 (批准号 :60 2 2 5 0 10 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 Z1111)资助项目~~; 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响 .实验结果表明 ,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的 M形的氧沉淀密度分布 ,即表面形成没有氧沉淀的洁净区 (DZ) ,体内靠近 DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀 ,而在硅片的中心处...; 关键词：掺氮直拉硅氧沉淀退火

一维硅纳米材料的研究进展被引量：3: 《材料导报》2004年第9期72-75,共4页卢晓敏汪雷杨青杨德仁; 国家自然科学重点项目(批准号:50032010);浙江省自然科学基金(浙江省2001批准号:601092);中国博士后科学基金(批准号:2002031240); 作为微电子领域最重要的半导体材料,硅的一维纳米结构在器件组装、纳米尺寸磁性器件、光电子等领域具有重要的作用,已经成为国际上材料科学研究的一个热点。从制备方法、应用前景等方面综述了国际上关于纳米硅丝和纳米硅管的研究进展,...; 关键词：微电子纳米硅光电子半导体材料磁性器件组装纳米结构研究进展国际综述

直拉硅片杂质缺陷的控制与利用被引量：1: 《河北工业大学学报》2004年第2期67-71,共5页李养贤郝秋艳杨帅马巧云; 国家自然科学基金资助项目(50032010);河北省自然科学基金资助项目(601047); 简要叙述了直拉硅中缺陷工程的研究进展.提出了采用中子辐照或掺杂技术,在硅中引入杂质缺陷,并通过其相互作用实现对硅中杂质和缺陷的控制与利用.此项研究是硅片缺陷工程的新内容.; 关键词：缺陷工程中子辐照杂质缺陷直拉硅

PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究被引量：43: 《太阳能学报》2004年第3期341-344,共4页王晓泉汪雷席珍强徐进崔灿杨德仁; 国家自然科学基金项目(59976035);国家自然科学基金重大项目(50032010); 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌...; 关键词：太阳电池 PECVD 氮化硅

微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究被引量：3: 《物理学报》2004年第2期550-554,共5页徐进杨德仁储佳马向阳阙端麟; 国家自然科学重点基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 );国家 863项目 (批准号 :2 0 0 2AA3 1)资助的课题~~; 利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小 ,并有冲出型位错产生 .而在CZ中 ,生成了大量的多面体氧沉淀 ,并且随着热氧化时...; 关键词：直拉单晶硅透射电镜氧化诱生层错晶体缺陷热氧化时间层错尺寸

快中子辐照CZ-Si的FTIR分析: 《功能材料》2004年第z1期3356-3359,3363,共5页杨帅马巧云刘铁驹李养贤李永章牛胜利李洪涛牛萍娟; 国家自然科学基金重点项目(50032010);天津市自然科学基金重点项目(013801511); 应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017～1.17×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快...; 关键词：快中子辐照辐照缺陷 VO FTIR

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2003年第10期1049-1052,共4页祝洪良杨德仁汪雷裴艳丽阙端麟张寒洁何丕模; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~~; 研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保...; 关键词：氮化硅 X射线光电子谱氮化

重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力: 《Journal of Semiconductors》2003年第6期598-601,共4页余学功杨德仁马向阳杨建松阙端麟; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~; 研究了重掺硼 ( HB)、重掺砷 ( HAs)以及重掺锑 ( HSb)直拉 ( CZ)硅片对重金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(～ 10 1 2 cm- 2 ,～ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的硅片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)...; 关键词：重掺直拉硅氧沉淀内吸杂

国家自然科学基金(50032010)