云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(69825107)

国家自然科学基金(69825107): 作品数：19被引量：30H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：杨辉冯淦沈晓明张宝顺王玉田更多>>; 相关机构：中国科学院武汉大学四川大学同济大学更多>>; 相关期刊：《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》《Science China(Technological Sciences)》《Science China Mathematics》《物理学报》更多>>; 相关主题：GANMOVPE立方相GAN氮化镓MOCVD更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期645-650,共6页沈晓明王玉田王建峰刘建平张纪才郭立平贾全杰姜晓明胡正飞杨辉梁骏吾; 国家博士后科学基金(批准号:2003034271);国家自然科学基金(批准号:69825107)资助项目~~; GaN buffer layers (thickness ～60nm) grown on GaAs(001) by low-temperature MOCVD are investigated by X-ray diffraction pole figure measurements using synchrotron radiation in order to understand the heteroepitaxial gr...; 关键词：X-ray diffraction metalorganic chemical vapor deposition nitrides

AlGaN中的应变状态: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期1-4,共4页张纪才王建峰王玉田杨辉; 国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目; 用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接...; 关键词：三轴晶X射线衍射 ALGAN 共格因子应变卢瑟福背散射

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期109-112,共4页王建峰张纪才张宝顺伍墨王玉田杨辉梁骏吾; 国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目; 通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此...; 关键词：GAN ALN SI衬底

In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响被引量：5: 《物理学报》2004年第8期2467-2471,共5页张纪才王建峰王玉田杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7);国家自然科学基金;香港研究资助局联合基金 (批准号 :5 0 0 116195 3 ;N HKU0 2 8 0 0 )资助的课题~~; 利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN GaN多量子阱结构缺陷 (如位错密度和界面粗糙度 )和光致发光的影响 .通过对 (0 0 0 2 )对称和 (1 0 1 2 )非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描 ,分别测...; 关键词：半导体材料 X射线三轴晶衍射界面粗糙度 INGAN/GAN多量子阱生长参数螺位错刃位错

GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量被引量：1: 《中国科学（G辑）》2003年第2期122-125,共4页冯淦朱建军沈晓明张宝顺赵德刚王玉田杨辉梁骏吾; 国家自然科学基金(批准号:69825107);国家杰出青年基金(批准号:5001161953);NSFC-RGC联合基金(批准号:N_HKU028/00); 提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系。该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度...; 关键词：GAN 外延膜厚度测量 X射线双晶衍射氮化镓薄膜

Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2003年第4期437-440,共4页冯淦朱建军沈晓明张宝顺赵德刚王玉田杨辉梁骏吾; the National Natural Science Foundation of China(Grant No.69825107,NSFC-RGC Joint program:NSFC5001161953 and N_HKU028/00); In this paper we propose a new method for measuring the thickness of the GaN epilayer, by using the ratio of the integrated intensity of the GaN epilayer X-ray diffraction peaks to that of the sapphire substrate ones....; 关键词：GaN X-RAY diffraction thickness

Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2003年第3期279-283,共5页张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7);NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116 195 3;N_HKU0 2 8/ 0 0 )资助项目~~; 在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改...; 关键词：GAN PT 肖特基接触退火 MOVPE

立方相GaN的持续光电导被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2003年第1期34-38,共5页张泽洪赵德刚孙元平冯志宏沈晓明张宝顺冯淦郑新和杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (Nos.5 0 0 116195 3 ;N HKU 0 2 8/ 0 0 )资助项目~~; 研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与...; 关键词：立方相 GAN 持续光电导空间载流子分离势垒限制复合氮化镓

Crystallographic tilt in GaN lavers grown by epitaxial lateral overgrowth: 《Science China Mathematics》2002年第11期1461-1467,共7页冯淦郑新和朱建军沈晓明张宝顺赵德刚孙元平张泽洪王玉田杨辉梁骏吾; This work was supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 69825107), NSFC-RGC Joint Program (Grant Nos. NSFC5001161953 and N_HKU028/00).; The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) onsapphire (0001) substrates was investigated by using double crystal X-ray diffraction (DC-XRD). Itwas found that ELO GaN stripes be...; 关键词：GaN EPITAXIAL LATERAL overgrowth crystallographic tilt double crystal X-ray diffraction.

用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2002年第10期1093-1097,共5页沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 ( 5 0 0 116 195 3;NHKU0 2 8/ 0 0 )资助项目~~; 尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生...; 关键词：层错密度立方相GAN 侧向外延 SEM TEM ELOG 扫描电子显微镜透射电子显微镜

国家自然科学基金(69825107)