NMOSFET

作品数：136被引量：120H指数：5
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总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响被引量：3
《微电子学》2018年第1期126-130,共5页苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 孙静 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11475255);中国科学院西部之光资助项目(2015XBQNB15;XBBS201321);青年科学基金资助项目(11505282)
为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流...
关键词：65 NM NMOSFET 总剂量效应 热载流子效应 
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应被引量：1
《微电子学》2015年第5期666-669,共4页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂...
关键词：深亚微米 NMOSFET 总剂量效应 窄沟效应 
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应
《微电子学》2015年第4期537-540,544,共5页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器...
关键词：深亚微米 NMOSFET 电子辐照 总剂量效应 
nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究
《微电子学》2013年第1期103-106,共4页陈海峰 过立新 
陕西省教育厅专项科研基金资助项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金资助项目(XA-AM-201012)
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V
关键词：衬底电流 亚阈值电流 NMOSFET 衬底偏压 
0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究被引量：2
《微电子学》2012年第2期293-296,共4页洪根深 肖志强 王栩 周淼 
对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨...
关键词：SOI 部分耗尽 NMOSFET 热载流子效应 可靠性 
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
《微电子学》2010年第3期444-447,共4页周东 张庆东 顾晓峰 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484);教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890)
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结...
关键词：应变硅 绝缘体上锗硅 接触孔刻蚀阻挡层 NMOS场效应管 有限元分析 
深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应
《微电子学》2010年第3期461-463,共3页卜建辉 毕津顺 宋李梅 韩郑生 
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PD-SOI H型栅nMOSFET。选取不同沟道宽度进行加速应力实验。实验结果表明,热载流子效应使最大跨导变化最大,饱和电流变化最小,阈值电压变化居中。以饱和电流退化...
关键词：PDSOI NMOSFET 热载流子效应 
ESD应力下的NMOSFET模型被引量：8
《微电子学》2007年第6期842-847,共6页路香香 姚若河 罗宏伟 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目:ESD/EOSTLP分析及模拟软件(5130804108)
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区...
关键词：静电保护 NMOSFET 半导体器件 器件模型 
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