通孔技术

作品数：42被引量：102H指数：5
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三维集成电子封装中TGV技术及其器件应用进展
《电子元件与材料》2024年第10期1190-1198,共9页张迅 王晓龙 李宇航 行琳 刘松林 阳威 洪华俊 罗宏伟 王如志 
国家重点研发计划(2021YFB3500403)。
在三维(3D)集成电路中,层间电路封装及其互联互通主要依赖于垂直通孔结构,这是其突破传统二维集成电路布局的核心与关键。近年来,玻璃通孔(TGV)技术由于具备低成本、高性能、易于加工和应用前景广阔等优点,日益引起了科研人员和电子厂...
关键词：电子封装 三维集成电路 综述 玻璃通孔技术 垂直互联 成孔 孔填充 
三维系统级封装(3D-SiP)中的硅通孔技术研究进展
《机械工程学报》2024年第19期261-276,共16页王美玉 张浩波 胡伟波 梅云辉 
国家自然科学基金(52107198);广东省自然科学基金(2023A1515011854);中央高校基本业务费专项资金(63231154)资助项目。
随着系统复杂度的不断提高,传统封装技术已不能满足多芯片、多器件的高性能互联。而三维系统级封装(3D-system in package,3D-SiP)通过多层堆叠和立体互联实现了芯片和器件的高性能集成。其中,硅通孔(Throughsiliconvia,TSV)结构在3D-S...
关键词：三维封装 系统级封装 硅通孔 垂直互联 
高深宽比硅孔溅射铜种子层工艺的探索与研究
《真空》2024年第4期1-5,共5页付学成 刘民 张笛 程秀兰 王英 
上海市科委项目(22501100800);上海交通大学决策咨询课题(JCZXSTA2022-02)。
硅通孔技术(TSV)是当前非常热门的高密度封装技术,但由于常规薄膜沉积技术很难在高深宽比的硅孔内沉积铜、钨等金属种子层,硅通孔技术中存在深硅孔金属化困难的工艺问题。通过对倾斜溅射时铜原子二维非对心碰撞前后入射角度的变化关系...
关键词：硅通孔技术 多靶共焦溅射 铜种子层 
集成电路芯片TSV三维集成关键工艺及应用基础研究--厦门大学机电工程系副教授马盛林
《科技成果管理与研究》2023年第7期11-12,共2页张华 
硅通孔技术(Through-Silicon-Via, TSV)是通过在硅圆片上制作通孔,然后在通孔里面填充导电材料,从而实现硅片正反面电导通的技术,是集成电路(IC)"超越摩尔"前沿技术,被认为是第四代封装技术,是目前半导体行业最先进的技术之一.
关键词：集成电路芯片 三维集成 硅通孔技术 通孔 封装技术 机电工程系 导电材料 TSV 
垂直互联结构的封装天线技术研究被引量：1
《电子与封装》2023年第7期21-32,共12页陈晨 尹春燕 夏晨辉 尹宇航 周超杰 王刚 明雪飞 
封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV...
关键词：扇出型晶圆级封装 垂直互连 通孔技术 封装天线 树脂通孔 
硅通孔技术可靠性技术概述被引量：1
《环境技术》2023年第6期128-132,共5页刘倩 邱忠文 李胜玉 
为了响应集成电路行业更高速、更高集成度的要求,硅通孔技术(ThroughSiliconVia,TSV)成为了半导体封装核心技术之一,解决芯片垂直方向上的电气和物理互连,减小器件集成尺寸,实现封装小型化。本文介绍了硅通孔技术的可靠性,包括热应力可...
关键词：硅通孔技术 可靠性 热应力 扇贝纹 
高可靠先进微系统封装技术综述被引量：4
《微电子学》2023年第1期115-120,共6页赵科 李茂松 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(614280204030317)
在人工智能、航空航天、国防武器装备电子系统小型化、模块化、智能化需求驱动下,系统级封装设计及关键工艺技术取得了革命性突破。新型的系统封装方法可把不同功能器件集成在一起,并实现了相互间高速通讯功能。封装工艺与晶圆制造工艺...
关键词：系统级封装 晶圆级封装 倒装焊BGA封装 2.5D/3D叠层封装 通孔技术 
一种基于通孔技术的新型石英音叉振子
《科学技术创新》2023年第2期54-57,共4页高志祥 姜凡 李坡 
石英具有很高的品质因数,因此用石英加工的频率元件也具有极高的稳定性,能大大提高系统的时间精度。32.768 KHz的表晶利用其压电效应产生精准可靠的时间基准,随着石英频率元件领域对半导体光刻技术的引入,适用于表贴型小型化表晶的音叉...
关键词：石英 音叉振子 通孔 电极 低功耗 
高带宽存储器测试技术研究
《信息技术与标准化》2022年第7期28-32,36,共6页钟伟军 吴迪 孔宪伟 
针对高带宽存储器(HBM)测试工程化实现的技术难题,重点研究了HBM的基本结构,分析了测试难点,从测试流程和测试项两个角度对比了DDR SDRAM与HBM两者的差异,并总结了底层逻辑硅片测试、TSV连接性测试、堆叠物理层测试和性能测试等HBM测试...
关键词：高带宽存储器 存储墙 硅通孔技术 微凸点 已知合格堆叠硅片 
ENZ天线的形变特性研究
《无线电工程》2022年第3期522-528,共7页胡志轩 
国家自然科学基金(61771280)。
针对天线柔性化设计需求,确保天线形变时工作频率稳定性,将近零介电常数(Epsilon-Near-Zero, ENZ)效应引入柔性天线设计。在分析ENZ天线内部色散特性的基础上,对天线在拉伸和弯折情况下各项参数进行仿真分析,实现天线在不同长度和弯折...
关键词：柔性天线 ENZ天线 频率不变天线 方向图可调 磁控溅射 硅通孔技术. 
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