淀积

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MOCVD设备射频感应加热原理与故障分析被引量：1
《电子工业专用设备》2021年第5期16-21,共6页刘成群 程壹涛 刘宇宁 
介绍了MOCVD设备射频感应加热系统的工作原理及技术特点。结合射频感应加热系统的组成,详细叙述各主要模块的典型故障及维修技术,重点分析射频功率源电路故障及维修。针对射频系统阻抗失配现象,提出了阻抗匹配调整的实用方法。根据多年...
关键词：金属有机物化学气相淀积 射频感应加热 阻抗匹配 振荡器 
Micro-LED显示器量化生产关键技术被引量：2
《电子工业专用设备》2021年第3期29-34,共6页蔡克新 
为快速推动Micro-LED显示器产业化发展,结合Micro-LED微显示器的性能特点、制造工艺流程和产品应用优势,重点分析了基于硅/蓝宝石衬底的GaN外延生长技术、芯片侧壁原子层沉积技术、芯片转移和晶圆级键合等技术。通过显示产业材料、工艺...
关键词：新型平板显示 微缩化发光二极管 有机化合物化学气相沉积 原子层淀积 晶圆键合 
LPCVD法淀积SiO2薄膜的影响因素分析被引量：5
《电子工业专用设备》2019年第6期9-12,共4页范子雨 索开南 
通过低压力化学气相沉积(LPCVD)法生长SiO2薄膜炉膛内部温度分布、TEOS源温度设置、炉内压力以及待生长硅片在炉膛内摆放位置等工艺条件变化对所生长薄膜质量的影响进行了多方面的分析,总结出工艺条件与SiO2薄膜淀积速率、片内和片间均...
关键词：低压力化学气相沉积法 薄膜 淀积 正硅酸乙酯源 
PECVD的原理与故障分析被引量：2
《电子工业专用设备》2015年第2期7-10,共4页曹健 
介绍了PECVD工艺的种类、工艺原理以及设备的基本结构;根据多年对设备的维护经验,分析了PECVD设备的常见原因,提出了处理措施;最后,分析总结了影响PECVD工艺质量的主要因素。
关键词：化学气相淀积 等离子增强型化学气相淀积 故障分析 工艺维护 
液态源可控蒸发输送系统被引量：1
《电子工业专用设备》2014年第8期28-30,58,共4页吴得轶 杨彬 
在太阳能电池、微电子等半导体工艺制程中,液态源以生产效率高、成膜特性好、气压小不易泄漏等优点,广泛应用于扩散、氧化、化学气相沉积等工艺。如:在太阳能电池PN结制程中,掺杂用的液态磷源、液态硼源,以及在湿氧氧化工艺中使用的蒸馏...
关键词：液态源输送 扩散炉 氧化炉 化学气相淀积 
LPVCD的原理与故障分析被引量：1
《电子工业专用设备》2014年第5期15-18,共4页张士伟 
文中介绍了CVD工艺的种类和特点。以LPVCD为例,介绍了其工艺的基本原理,以及设备的基本结构。根据多年的设备维护经验,分析了LPCVD设备的常见问题,提出了处理措施。最后,总结出了LPCVD设备的工艺维护方法。
关键词：化学气相淀积 低压化学气相沉积 故障分析 工艺维护 
磁控溅射镀膜的原理与故障分析被引量：23
《电子工业专用设备》2013年第6期57-60,共4页郝晓亮 
介绍了磁控溅射镀膜的种类及特点。以直流磁控溅射为例,介绍了其结构、原理,分析了影响磁控溅射工艺稳定性的因素。最后总结了磁控溅射镀膜工艺中常见的故障以及解决方法。
关键词：物理气象淀积 磁控溅射 故障分析 镀膜工艺 
LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量：4
《电子工业专用设备》2011年第6期24-26,56,共4页王俭峰 佟丽英 李亚光 李秀强 
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响。结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度...
关键词：TEOS源 LPCVD 淀积速率 均匀性 
Altatech推出新型CVD、ALD设备
《电子工业专用设备》2008年第10期65-65,共1页
半导体设备商Altatech Semiconductor日前推出化学气相淀积和原子层淀积设备AltaCVD，但未透露其设备售价。
关键词：半导体设备 SEMICONDUCTOR CVD ALD 化学气相淀积 原子层 
TEL推出等离子增强型批处理热CVD系统
《电子工业专用设备》2005年第8期81-81,共1页
设在德州奥斯汀的TEL美国总部日前推出用于先进薄膜淀积的IRad，一种300mm等离子增强批处理热化学汽相淀积（CVD）系统。IRad系统是基于全面的经生产验证的TEL FORMULATM装料尺寸可变的反应器设计基础之上开发研制出的。
关键词：等离子增强 ad系统 批处理 推出 CVD 增强型 化学汽相淀积 300mm 薄膜淀积 
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