云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 金属氧化物半导体

金属氧化物半导体: 作品数：877被引量：1357H指数：14; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：时龙兴孙伟锋陆生礼杨银堂张进成更多>>; 相关机构：东南大学西安电子科技大学国际商业机器公司电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>

CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器（英文）被引量：4: 《红外与毫米波学报》2014年第6期584-590,共7页杨格亮王志功李智群李芹刘法恩李竹; Supported by the 973 project(2010CB327404);the 863 project(2011AA10305);National Natural Science Foundation of China(61106024,60901012); 陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器（LNA）.该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征：在28.5～39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27～42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最...; 关键词：毫米波宽带互补金属氧化物半导体(CMOS) 共栅低噪声放大器(LNA) 集成电路(IC)

由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元: 《固体电子学研究与进展》2013年第2期158-161,198,共5页陈乃金郭维廉陈燕王伟张世林毛陆虹; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB11905);安徽省高等学校省级自然科学资金资助项目(KJ2007B247;KJ2012B010);芜湖市科技计划自然科学资金资助项目(芜科计字[2012]94号); 使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省...; 关键词：负阻单元互补型金属氧化物半导体逻辑电路双极晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管

Development of silicon photonic devices for optical interconnects被引量：4: 《Chinese Science Bulletin》2013年第7期586-593,共8页XIAO Xi LI ZhiYong CHU Tao XU Hao LI XianYao NEMKOVA Anastasia KANG Xiong YU YuDe YU JinZhong; supported by the National Basic Research Program of China (Grant Nos. 2011CB301701,2012CB933502 and 2012CB933504);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60877036 and 61107048);the Chinese Academy of Sciences for a fellowship for young international scientists (Grant No. 2011Y1GB07);the China Postdoctoral Science Foundation (Grant No. 2011M500372); Silicon photonic devices based on complementary-metal-oxide-semiconductor(CMOS) compatible technologies have shown attractive performances on very-large-scale monolithic optoelectronic integration,high speed modulatio...; 关键词：光子器件光学互连开发金属氧化物半导体 CMOS兼容硅光耦合技术光电子集成

高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究被引量：1: 《物理学报》2012年第21期418-423,共6页常虎东孙兵卢力赵威王盛凯王文新刘洪刚; 国家重点基础研究发展计划(批准号:201 1CBA00605,2010CB327501);国家科技重大专项(批准号:2011ZX02708-003)资助的课题~~; 从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响....; 关键词：金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管 INGAAS AL2O3

High-performance doping-free carbon-nanotube-based CMOS devices and integrated circuits被引量：7: 《Chinese Science Bulletin》2012年第2期135-148,共14页ZHANG ZhiYong WANG Sheng PENG LianMao; supported by the Ministry of Science and Technology of China (2011CB933001,2011CB933002);the Fundamental Research Funds for Central Universities;the National Natural Science Foundation of China (61071013,61001016); Ballistic n-type carbon nanotube(CNT)-based field-effect transistors(FETs) have been fabricated by contacting semiconducting single-walled CNTs(SWCNTs) using Sc or Y.The n-type CNT FETs were pushed to their performanc...; 关键词：单壁碳纳米管 CMOS器件集成电路制造互补金属氧化物半导体兴奋剂性能 MOS场效应管场效应晶体管

2.4GHz全集成CMOS Doherty功率放大器被引量：1: 《微波学报》2011年第6期6-9,共4页杨东旭王洪瑞唐杨曾大杰张雷张莉余志平; 国家973项目(2010CB327404);清华大学信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金; 采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一个2.4 GHz全集成CMOS Doherty功率放大器。着重考虑了片上螺旋电感的回流路径对电感模型的影响,并在设计中使用了一种新颖的螺旋电感版图结构来避免回流路径的影响。实测结果表明该功率放大器增益达...; 关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 电感 DOHERTY功率放大器全集成

基于二元混合自组装包裹纳米颗粒的微传感器抗体固定方法被引量：2: 《分析化学》2011年第6期804-808,共5页薛茜男边超佟建华孙楫舟张虹夏善红; 国家973计划项目(No.2009CB320300);国家863计划项目(No.2006AA04Z366)资助; 采用二元混合自组装膜修饰纳米金颗粒,在经自组装单分子层修饰的金电极上阵列式排布,并通过共价键固定抗体形成生物敏感膜。采用原子力显微镜、扫描电镜和阻抗谱分别对电极表面的修饰过程进行了表征。纳米粒子在微电极表面均匀分布,没...; 关键词：纳米金互补金属氧化物半导体微加工糖化血红蛋白集成芯片

降栅压技术在MOSFET驱动中的应用被引量：8: 《电力系统及其自动化学报》2010年第1期1-4,53,共5页杨冬平王莉江登宇; 国家973基础研究项目(2007CB210303);航空科学基金资助项目(20091952022); 为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor),在60V/10A固态功率控制器的驱动电路中,设计降栅压短路保护。通过与MOSFET反串的二极管检测短路故障,一旦发生短路,启动短路保护...; 关键词：金属氧化物半导体场效应管降栅压固态功率控制器短路保护驱动电路

60GHz 11dBm CMOS功率放大器设计被引量：3: 《半导体技术》2009年第12期1231-1234,共4页郭超张文俊余志平; 国家973项目(2006CB032705); 近年来60 GHz附近的一个连续频段可以自由使用,这为短距离的无线个域网等高速率传输的应用提供了条件。设计了一个工作在60 GHz的CMOS功率放大器。采用台积电0.13μmRF-CMOS工艺设计制造,芯片面积为0.35mm×0.4 mm,最大线性输出功率为11...; 关键词：功率放大器射频互补金属氧化物半导体个域网负载牵引

相变存储器驱动电路的设计与实现被引量：2: 《半导体技术》2008年第5期431-434,共4页沈菊宋志棠刘波封松林; 国家863计划(2006AA03Z360);国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2006CB302700);上海市科委资助项目(06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017;0752nm013;07QA14065); 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集...; 关键词：相变存储器电流驱动基准电压偏置电流电流镜互补金属氧化物半导体

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

金属氧化物半导体

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

金属氧化物半导体

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索