单片功率放大器

作品数：25被引量：43H指数：4
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相关作者：陈效建林金庭蒋幼泉杨瑞霞顾建忠更多>>
相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所中国科学院电子科技大学更多>>
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L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器被引量：6
《固体电子学研究与进展》2017年第6期384-388,共5页蔺兰峰 周衍芳 黎明 陶洪琪 
研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷...
关键词：GAN L波段 高效率 大功率 准单片 
基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》2016年第5期435-,共1页程伟 孙岩 王元 陆海燕 常龙 李骁 张勇 徐锐敏 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使...
关键词：DHBT 单片 集成功率放大器 InP DHBT 
W波段GaN单片功率放大器研制被引量：11
《固体电子学研究与进展》2016年第4期266-269,共4页吴少兵 高建峰 王维波 章军云 
报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz。采用该...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 W波段 电子束直写 功率放大器 
16.5～20GHz PHEMT单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》2001年第4期492-492,共1页陈新宇 蒋幼泉 黄念宁 陈效建 
关键词：功率放大器 单片集成电路 PHEMT 
2～6GHz单片功率放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2001年第2期119-125,共7页朱轩昂 林金庭 陈效建 
报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的 Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在 2 .0～ 6.7GHz频带上线性增益为 17d B,平坦度为± 0 .75d B,输入和输出驻波分别小于 2。全频带上 ,饱和输出...
关键词：微波单片集成电路 有耗匹配 宽带功率放大器 
4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》1997年第2期98-102,共5页李拂晓 孙玉芳 陈克金 蒋幼泉 陈堂胜 林金庭 
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。
关键词：砷化镓 离子注入 单片功率放大器 
用于移动通信的GaAs单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》1997年第1期3-6,共4页顾炯 陈克金 蒋幼泉 李祖华 陈堂胜 
简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作，给出了电路拓扑和版图．该三级放大电路在800－900MHz内，小信号增益＞35dB，饱和输出功率＞32dBm，效率＞34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺，均匀性、重复性好，工艺成品率高。
关键词：砷化镓 单片电路 功率放大器 移动通信 
两级GaAs单片功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》1991年第3期193-197,共5页顾炯 陈硕颀 王福臣 过常宁 林金庭 
国家自然科学基金重大项目
本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1d...
关键词：两级 功率放大器 GAAS 单片 
两级GaAs单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》1990年第4期414-414,共1页顾炯 陈硕颀 王福臣 过常宁 林金庭 
国家自然科学基金资助项目
GaAs单片功率放大器是70年代末发展起来的.它可在卫星接收系统中作为后级放大;可作为VCO的后续放大器,从而组成新型的微波固态源;可用于无人值守微波中继站及雷达与其它电子工程中.这一广阔的应用前景使GaAs单片功放的研究引起了国内外...
关键词：功率放大器 两级 单片 GAAS 
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