单片集成

作品数：1069被引量：1273H指数：11
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GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路被引量：6
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1823-1826,共4页黎明 张海英 徐静波 付晓君 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311901)~~
利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC^10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC^10GHz内插入损...
关键词：增强/耗尽型PHEMT 逻辑控制电路 单刀双掷开关(SPDT) 反相器 
60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器被引量：5
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1373-1376,共4页侯阳 张健 李凌云 孙晓玮 
国家自然科学基金资助项目(批准号:07O7RGJA1001)~~
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×1mm.实测性能指标为：工作频段45-65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 低噪声放大器 60GHz 
基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1807-1810,共4页吕吉贺 黄辉 任晓敏 苗昂 李轶群 王睿 黄永清 王琦 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901);国家自然科学基金(批准号:60576018;90601002);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z416)资助项目~~
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外...
关键词：异质外延 可调谐 光电探测器 
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1424-1427,共4页徐静波 张海英 尹军舰 刘亮 李潇 叶甜春 黎明 
国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311901)资助项目~~
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显...
关键词：单片集成 增强型 耗尽型 赝配高电子迁移率晶体管 阈值电压 
单片集成的高性能压阻式三轴高g加速度计的设计、制造和测试被引量：8
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1482-1487,共6页董培涛 李昕欣 张鲲 吴学忠 李圣怡 封松林 
设计、制造并测试了一种单片集成的压阻式高性能三轴高g加速度计,量程可达105g.x和y轴单元均采用一种带微梁的三梁-质量块结构,z轴单元采用三梁-双岛结构.与传统的单悬臂梁结构或者悬臂梁-质量块结构相比,这两种结构均同时具有高灵敏度...
关键词：硅微机械加工技术 三轴加速度计 压阻 高g 塑封 
RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期414-417,共4页马龙 张杨 戴扬 杨富华 曾一平 王良臣 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302750)
在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以...
关键词：共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 磷化铟 单片集成 
基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期520-524,共5页李献杰 赵永林 蔡道民 曾庆明 蒲运章 郭亚娜 王志功 王蓉 齐鸣 陈晓杰 徐安怀 
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312040,2002AA312040),重点实验室基金(批准号:51432070104ZK3401)和国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm...
关键词：InP INGAAS HBT PIN 光接收 OEIC 
用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器件的研究
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期525-528,共4页王路 谢红云 赵玲娟 潘教青 周帆 边静 王鲁峰 朱洪亮 王圩 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90401025)
设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1...
关键词：分布反馈激光器 Y形波导 单片集成 量子阱混杂 拍频 微波信号产生 
基于0·25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器被引量：6
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2160-2162,共3页顾建忠 张健 喻筱静 钱蓉 李凌云 孙晓玮 
设计、制造和测试了基于0·25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17·4dB,在32GHz具有0·5W的饱和功率输出.
关键词：毫米波单片集成电路 功率放大器 赝配高电子迁移率晶体管 
单片集成低功耗神经信号检测CMOS放大器被引量：6
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1490-1495,共6页王余峰 王志功 吕晓迎 王惠玲 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(批准号:90377013)~~
采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计了可用于植入式神经信号检测的放大器芯片.电路适用于卡肤电极系统,包括低噪声前置放大级、由电流模仪表放大器构成的主放大级、输出缓冲级和恒跨导偏置级.电路工作于2·5V/±1·25V,功耗180μW.为满足体内...
关键词：神经信号检测 神经功能信号再生 卡肤电极 CMOS工艺 
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