光学光刻

作品数：103被引量：209H指数：8
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谢常青刘明陈大鹏童志义陈宝钦更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院信越化学工业株式会社四川大学更多>>
相关期刊：《微细加工技术》《中国集成电路》《电子科技文摘》《电子显微学报》更多>>
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微光刻与微/纳米加工技术(续)被引量：6
《微纳电子技术》2011年第2期69-73,共5页陈宝钦 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022)
2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展...
关键词：纳米加工技术 下一代光刻技术 微光刻 研究与开发 光学光刻技术 微电子技术 物理极限 特征尺寸 
传统光学光刻的极限及下一代光刻技术被引量：7
《微纳电子技术》2008年第6期361-365,369,共6页蒋文波 胡松 
国家自然科学基金资助项目(60706005,60776029);863计划资助项目(2006AA03Z355)
分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。...
关键词：传统光学投影光刻 分辨力 物理极限 下一代光刻 主流技术 
掩模硅片自动对准误差校正算法被引量：1
《微纳电子技术》2005年第1期42-47,共6页梁友生 曹益平 周金梅 邢廷文 
微细加工光学技术国家重点实验室基金 (KFS4)资助
为了改善对准精度,对100nm级线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴离轴混合对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件台模型中。掩模硅片自动对准算法决定机器坐标系、掩模坐标系、硅片坐标系相互的位置关系,可很好地校正由...
关键词：光学光刻 掩模硅片 对准 对准模型 最小二乘法 
应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术被引量：3
《微纳电子技术》2002年第7期39-42,共4页谢常青 陈大鹏 李兵 叶甜春 
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被...
关键词：PHEMT器件 光刻技术 T形栅 光学光刻 电子束光刻 X射线 集成电路 
用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
《微纳电子技术》2002年第5期37-40,共4页韩安云 王育中 王维军 张 倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔 铮 
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
关键词：光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL 
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