光学光刻

作品数：103被引量：209H指数：8
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相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院信越化学工业株式会社四川大学更多>>
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EUV光刻技术的挑战被引量：2
《电子工业专用设备》2015年第5期1-12,共12页程建瑞 
光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻...
关键词：光学光刻技术 极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术 大规模生产 高分辨率 集成电路 光学测量技术 
浸没式光刻向22nm挺进
《电子工业专用设备》2009年第8期1-8,50,共9页马建军 张崇巍 
简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。
关键词：光学光刻 32 nm光刻 22 nm光刻进展 193 nm浸没式光刻 双重图形光刻 
光学光刻技术的历史演变被引量：3
《电子工业专用设备》2008年第4期28-32,共5页马建军 
简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节点的可能性。
关键词：光学光刻 缩小步进光刻 步进扫描光刻 浸没式光刻 双重图形光刻 
用于注入层用途的湿法显影有机抗反射涂层(英文)
《电子工业专用设备》2004年第11期29-36,共8页XieShao AliceGuerrero YimingGu 
底部抗反射涂层(BARCs)和光刻胶已被广泛地用于半导体制造中的光刻加工工艺中。BARCs在光刻中的主要好处就是聚焦?曝光宽容度的改善,提高了关键尺寸的控制,消除了反射凹口,防止远紫外抗蚀剂由基底毒化。过去,BARCs主要被用于关键图层,...
关键词：光学光刻 抗反射涂层 关键尺寸控制 衬底反射 注入 底部抗反射涂层 湿法显影 
光学光刻技术向纳米制造挺进
《电子工业专用设备》2004年第3期22-26,共5页葛劢冲 刘玄博 
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技...
关键词：光学光刻 光学邻近效应校正 下一代光刻 纳米制造 优势与前景 
光学光刻的极限被引量：2
《电子工业专用设备》2004年第2期4-9,共6页童志义 
讨论了光学光刻技术的各种分辨力增强技术(RETs),根据各类光刻设备的开发进展,探讨了光学光刻技术的加工极限。
关键词：光学光刻 分辨力增强技术 浸没式透镜 偶极照明双重曝光 分辨力极限 
ASML公司的90nm及其更小特征尺寸的光学光刻技术
《电子工业专用设备》2003年第6期37-37,共1页
2003年11月10日，ASML在浦东华美达大酒店(Ramada)四楼举办了一场光刻技术研讨会，并希望通过此次会议，使ASML及其技术合作伙伴在先进科技上将最新的一些成果和心得带给客户及业界，能够更好地促进与客户之间的技术交流。
关键词：客户 技术合作伙伴 浦东 酒店 科技 ASML公司 技术交流 特征尺寸 光学光刻 光刻技术 
光学光刻的波前工程被引量：3
《电子工业专用设备》2003年第5期50-52,共3页翁寿松 
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。
关键词：光学光刻 波前工程 移相掩模 光学邻近效应校正 
光学光刻现状及设备市场被引量：10
《电子工业专用设备》2002年第1期2-6,共5页童志义 
概述了当前光学光刻技术现状及今后发展目标 ,并结合设备市场介绍了ASML、Canon、Nikon 3大设备制造商概况。
关键词：光学光刻 技术现状 设备市场 制造商 
KrF光刻:使命未尽被引量：1
《电子工业专用设备》2001年第3期49-52,共4页AaronJ.Hand 立文 
关键词：光刻设备 KRF激光 光源 光学光刻 
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