PECVD

作品数：718被引量：1141H指数：13
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沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响被引量：2
《半导体技术》2019年第7期553-557,共5页于成磊 王伟 段赛赛 于龙宇 刘孟杰 
国家自然科学基金资助项目(61774054)
研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得...
关键词：石墨烯 沉积温度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 牺牲层Ni 图形化 
氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响被引量：3
《半导体技术》2018年第1期48-52,共5页杨涛涛 韩军 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛 
国家自然科学基金资助项目(61204011,11204009,61574011);江苏省科技计划项目(BE2014066);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2017-014204-500034);中国科学院科研装备研制项目(YZ201549)
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N...
关键词：4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 
PECVD制备SiO_x-SiN_x薄膜的研究被引量：3
《半导体技术》2010年第7期680-683,709,共5页韩培育 季静佳 朱凡 王振交 钱洪强 李果华 
首先使用工业型Direct-PECVD设备,采用SiH4和N2O制备了SiOx薄膜。针对Si太阳电池的应用,比较了SiOx薄膜在不同射频功率、气压、气体流量比和温度下的沉积特性,得出了最佳的沉积条件,这些沉积特性包括沉积速率、折射率和腐蚀速率。在该...
关键词：晶体硅太阳电池 氧化硅 减反 钝化 
带有本征薄层的异质结太阳能电池被引量：6
《半导体技术》2010年第1期1-7,共7页刘艳红 刘爱民 
带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种。根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程,从原理、结构、制备工艺等角度对其进行了深入分析,指出PECVD技术在制备HIT电池中存在的问题...
关键词：HIT太阳能电池 PECVD HWCVD 
PECVD SiO_2薄膜内应力研究被引量：17
《半导体技术》2008年第5期397-400,共4页孙俊峰 石霞 
研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的...
关键词：内应力 二氧化硅薄膜 等离子增强化学气相淀积 
诺发系统有限公司推出VECTOR Express——PECVD薄膜工艺生产效率和技术领先者
《半导体技术》2007年第6期547-547,共1页
2007年3月21日，中国上海．诺发系统有限公司（NOVELLUS）正式推出VECTOR Express？新产品。这是诺发公司300mm PECVD平台的最新增强版本，其工艺生产速度提高了40％，保持了业界领先的生产效率。此外，VECTOR Express还建立了薄膜工艺...
关键词：EXPRESS VECTOR PECVD 薄膜工艺 生产效率 系统 技术 生产速度 
基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术
《半导体技术》2006年第3期180-182,193,共4页赵英伟 路孟喜 
提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工...
关键词：故障诊断 贝叶斯网络 等离子体增强化学汽相淀积 
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
《半导体技术》2004年第6期71-75,共5页陈蒲生 刘剑 张昊 冯文修 
广东省自然科学基金项目(950186)
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室...
关键词：PECVD 等离子体增强化学汽相淀积 薄介质膜 击穿机理 电学性能 
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
《半导体技术》2004年第1期51-55,共5页陈蒲生 陈闽捷 张昊 
广东省自然科学基金资助课题(编号950186)
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密...
关键词：PECVD 纳米级薄膜 界面陷阱 雪崩热电子注入 SiOxNy界面 
DLTS技术研究富氮SiO_xN_y薄介质膜的电学特性被引量：2
《半导体技术》1999年第6期20-23,28,共5页章晓文 陈蒲生 
广东省自然科学基金
采用深能级瞬态谱技术 （ＤＬＴＳ）， 测试了等离子体增强化学汽相淀积 （ＰＥＣＶＤ） 法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ 栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工...
关键词：电学特性 SiOxNy薄介质膜 DLTS PECVD 
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