亚微米

作品数：1399被引量：2347H指数：14
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博世扇贝纹对亚微米硅通孔中应力的影响
《半导体技术》2024年第7期666-673,共8页费思量 王珺 
国家自然科学基金(61774044);教育部创新平台专项经费资助。
硅通孔(TSV)是三维(3D)集成中的关键互连技术。采用博世(Bosch)工艺刻蚀TSV,尤其是亚微米直径的TSV时,侧壁产生的扇贝纹会引起TSV中的应力集中。利用有限元单元生死技术分析亚微米TSV制备过程中的应力变化,并对应力的影响因素进行了分...
关键词：扇贝纹 亚微米硅通孔(TSV) 有限元分析 正交实验 单元生死技术 博世(Bosch)工艺 
基于130nm SOI工艺数字ASIC ESD防护设计被引量：3
《半导体技术》2021年第4期279-285,共7页米丹 周昕杰 周晓彬 
绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选。但SOI工艺IC更易受自加热效应(SHE)的影响,因此静电放电(ESD)防护设计成为一大技术难点。设计了一款基于130 nm部分耗尽型SOI(PD-SOI...
关键词：深亚微米 绝缘体上硅(SOI)工艺 全芯片 静电放电(ESD)防护 电源钳位 人体模型 
热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响
《半导体技术》2019年第2期135-139,共5页陈晓亮 陈天 钱忠健 张强 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02305-002)
浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布...
关键词：浅槽隔离(STI) 热应力 漏电流 牺牲氧化层(SAC OX) 静态随机存储器(SRAM) 
超深亚微米物理设计中天线效应的消除被引量：5
《半导体技术》2012年第6期429-432,共4页张智胜 吴秀龙 
安徽省教育厅重点科研项目(KJ2010A022)
分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效...
关键词：超深亚微米 天线效应 时钟树综合 时序 布局布线 
衍射干涉光刻研究
《半导体技术》2012年第5期363-366,共4页高阳 廖广兰 谭先华 史铁林 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB724204);国家自然科学基金资助项目(50805061;50975106)
光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分...
关键词：严格耦合波分析算法 光刻机 衍射干涉 干法刻蚀 亚微米 
基于RHBD技术的深亚微米抗辐射SRAM电路的研究被引量：7
《半导体技术》2012年第1期18-23,共6页王一奇 赵发展 刘梦新 吕荫学 赵博华 韩郑生 
国家科技重大专项基金资助项目(2009ZX02305-008)
研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式。电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技...
关键词：静态随机存储器 单粒子 抗辐射加固设计 抗辐射加固 纠检错 
1.2～1.4GHz 300W宽带硅大功率双极晶体管研制被引量：2
《半导体技术》2011年第5期355-358,共4页徐守利 刘英坤 黄雒光 胡顺欣 邓建国 潘茹 
介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管。器件在1.2~1.4 ...
关键词：硅 L波段 微波脉冲 功率晶体管 亚微米 
130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应被引量：2
《半导体技术》2010年第1期46-49,93,共5页陈超 吴龙胜 韩本光 方勇 刘佑宝 
国家部委基金项目(51308010608)
研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电...
关键词：电荷共享 超深亚微米 器件模拟 单粒子辐射 寄生双极管效应 
深亚微米混合信号全芯片ESD电路设计被引量：2
《半导体技术》2009年第5期506-509,共4页纪宗江 李冬梅 
中关村科技园区小企业创新支持资金
随着CMOS工艺的发展,集成电路元件的尺寸持续减小,芯片的静电放电(ESD)保护设计受到了更大的挑战。从系统的角度出发,采用电压域分别保护后通过隔离器件连接的方法完成了对深亚微米芯片ESD保护系统的设计。设计中分析了传统输出端保护...
关键词：静电放电 全芯片 混合信号 输出保护 保持结构 
深亚微米ASIC设计中的静态时序分析被引量：5
《半导体技术》2009年第1期45-48,共4页廖军和 叶兵 
随着集成电路的飞速发展,芯片能否进行全面成功的静态时序分析已成为其保证是否能正常工作的关键。描述了静态时序分析的原理,并以准同步数字系列(PDH)传输系统中16路E1 EoPDH(ethernet over PDH)转换器芯片为例,详细介绍了针对时钟定...
关键词：ASIC设计 时序约束 时序路径 静态时序分析 
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