掩模制作

作品数：13被引量：20H指数：3
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相关领域：电子电信机械工程理学更多>>
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相关机构：南昌航空大学中国科学院南昌航空工业学院四川大学更多>>
相关期刊：《光学学报》《微细加工技术》《光子学报》《电子工业专用设备》更多>>
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飞秒激光直写掩模制作硅表面微柱阵列被引量：3
《激光与光电子学进展》2019年第18期261-266,共6页田亚湘 张帆 丁铠文 满姝 吴碧微 
国家重点研发计划(2017YFB1104300)
提出了一种使用飞秒激光直写掩模加工微柱阵列的方法。利用高重复频率飞秒激光的热氧化效应在硅表面制作出二氧化硅点阵列,然后经氢氧化钾刻蚀得到微柱阵列。相比于传统的制作微柱阵列的方法,使用飞秒激光直写掩模制作微柱阵列的方法工...
关键词：超快光学 热氧化效应 硅 微柱阵列 氢氧化钾 掩模 
基于直写技术的微纳掩模制作技术研究进展被引量：1
《传感器与微系统》2019年第7期1-4,9,共5页章城 文东辉 杨兴 
国家自然科学基金资助项目(61671271,51705283);北京市自然科学基金资助项目(L172040);国家重大科学研究计划资助项目(2013CB934200)
微纳掩模制作是进行刻蚀、沉积和改性等微纳加工工艺之前的主要工艺,是微纳米加工过程中的关键步骤和基础。高质量、柔性、低成本、高效的掩模制作对微/纳机电系统(MEMS/NEMS)、微米纳米技术、微/纳电子芯片、半导体器件等领域的科研和...
关键词：直写技术 掩模制作 微纳米技术 图形化 
反应离子束刻蚀石英同质掩模制作小阶梯光栅被引量：2
《真空》2016年第6期54-58,共5页董圣为 邱克强 付绍军 
离子束刻蚀作为真空技术的一种重要应用,已广泛运用于现代微电子器件和微光学器件的制作工艺中。本文结合反应离子束刻蚀与全息光刻技术,针对线密度较低的小阶梯光栅,倾斜刻蚀石英同质掩模,制作了三种在紫外光和可见光波段透射闪耀的小...
关键词：小阶梯光栅 反应离子束刻蚀 闪耀角 衍射效率 
激光聚焦扫描扇区掩模制作光电码盘新方法被引量：2
《微细加工技术》2007年第6期8-11,共4页赵立新 胡松 王肇志 罗正全 
为了改进光电码盘的制作工艺,提高效率,降低成本,提出了一种光电码盘的光刻方法。通过计算机控制激光聚焦扫描扇区掩模制作来选择扇区掩模的码道,采用光学光刻的方法制作码盘,取消了传统码盘光刻的精缩物镜和穿孔带。同时,扫描光斑远大...
关键词：光电码盘 扇区掩模 高斯光斑 聚焦扫描 
基于空间光调制器的灰度掩模制作环形光栅
《光电技术应用》2006年第5期41-42,共2页鲁开源 何兴道 
介绍了基于空间光调制器的灰度掩模系统制作环形光栅.将二元光学方法与环形光栅的概念结合起来,为制作可以集成到光电系统的环形光栅以及其他光学元件提供了一条较好的思路.
关键词：空间光调制器 灰度掩模 环形光栅 二元光学 
掩模材料与新颖的衬底方案关键问题及新的良机(英文)
《电子工业专用设备》2006年第4期23-30,共8页Ute Buttgereit Holger Seitz Guenter Hess Patrick M.Martin 
通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45nm及以下技术节点的掩模要求。此外类似于折射指数、平整度、成分、均匀性和应力等衬底材料的固有特性严重地影响到掩模加工性能和光刻性能。评述了45nm及以下技术节点对空白...
关键词：极紫外光刻 45nm技术节点 光掩模 掩模材料 掩模制作 
彩色等效灰度掩模制作方法研究
《光子学报》2005年第12期1778-1782,共5页罗宁宁 高益庆 谌廷政 漆新民 朱小进 陈劲松 
航空科学基金(04I56010);江西省自然科学基金(0412027)资助项目
提出了一种利用彩色等效灰度理论设计掩模的新方法———数据库法.通过选取不同RGB值组合成特定颜色,由彩色胶片输出仪输出这些颜色组成的彩色掩模,获得的彩色胶片掩模用来线性调制曝光量,从而实现二元光学元件台阶深度的线性化.给出了...
关键词：衍射光学 彩色等效灰度理论 彩色掩模 彩色胶片输出仪 
用灰阶编码掩模制作折/衍混合微光学元件被引量：1
《光学与光电技术》2005年第2期48-50,共3页肖啸 
设计了消色差的折/衍混合微光学元件的灰阶掩模,该掩模对光刻过程中的畸变进行了预校正,并给出了模拟计算的的结果。
关键词：混合光学 灰阶编码 消色差 
掩模制作中的邻近效应被引量：2
《微纳电子技术》2002年第11期36-40,共5页杜惊雷 石瑞英 崔铮 郭永康 
国家自然科学基金项目(69907003);博士点基金资助项目
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻...
关键词：掩模制作 邻近效应 光学邻近效应 掩模畸变 光刻模拟 光学邻近校正 微光刻 
0.4～0.25μm时代光刻技术
《电子与封装》2002年第5期43-46,共4页章诚 
1前言 近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着...
关键词：光刻技术 正性光刻胶 光学曝光 掩模制作 光刻胶材料 
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