光学曝光

作品数：11被引量：13H指数：2
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高精度Ω型辐射结构的微纳加工
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2024年第12期1642-1647,共6页王欣然 徐南阳 马钰 于志飞 
国家自然科学基金重点培育资助项目(92265114)。
微波辐射结构的均匀性以及精度是影响金刚石固态自旋量子态调控实验灵敏度的直接因素,因此利用微纳工艺制备出高精度、均匀性良好的微波辐射结构显得尤为重要。文章提出一种新的微纳加工流程,基于CST MWS软件Ω槽线模型仿真,通过光学曝...
关键词：辐射结构 NV色心 微纳加工 光学曝光 磁控溅射 
光刻机曝光技术演进被引量：2
《集成电路应用》2003年第12期3-6,共4页白杉 
1 引言目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件,其增长过程遵从一个我们称之为摩尔定律的规律,即集成度每3年提高4倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约...
关键词：集成电路 光刻机 光学曝光 准分子激光 极紫外曝光 限角散射电子束投影曝光 
谁会牵手乐凯?
《商务周刊》2003年第15期59-59,共1页
乐凯要向数码进军,只能借助外力,走跟外资联合的道路,那么,乐凯的合资会选择柯达还是富士呢? 2003年7月11日,针对乐凯10年合资的历程,东方高圣20多名分析师还专门讨论了这个案例。他们分析的结果是:乐凯“嫁给”柯达,凶多吉少;“迎娶”...
关键词：富士 数码相机 数码影像 整合营销 “三国演义” 发展战略 三原则 分析师 光学曝光 生产布局 
曝光台校正透镜修正效果的检测
《真空科学与技术》2002年第4期255-259,共5页李刚 汪健如 应根裕 
检验曝光台校正透镜的修正效果 ,通常是通过在生产线上实际制管来进行。这种方法费时费力 ,并且存在各制作工序误差的积累。本文研制了一种装置 ,通过检测透镜修正前后光落点在荧光屏内表面的落点位移 ,直接检测修正效果 ,并且测量精度...
关键词：曝光台 校正透镜 修正效果 检测 落点位移 光斑图像 荫罩式彩色显像管 制备 光学曝光 
0.4～0.25μm时代光刻技术
《电子与封装》2002年第5期43-46,共4页章诚 
1前言 近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着...
关键词：光刻技术 正性光刻胶 光学曝光 掩模制作 光刻胶材料 
集成电路设备的新挑战
《中国集成电路》2002年第3期54-57,共4页蒋迪宝 
一、概述集成电路按照摩尔定律已经发展了30多年,从光学曝光的技术来看,集成电路似乎已经到了极限。但是技术的一再进步使人们又充满信心,不仅0.1μm已经突破,还要发展到0.
关键词：集成电路制造 关键设备 光学曝光 工艺技术 集成电路生产 离子注入机 刻蚀设备 高密度等离子体 深亚微米 发展 
光学光刻和双面光刻技术
《电子技术参考》2000年第1期49-54,共6页何锦涛 丁元萍 
关键词：光学曝光 双面光刻 光学光刻 
亚微米i线和g线投影光刻物镜研制被引量：9
《微细加工技术》1997年第2期23-30,共8页陈旭南 林大键 王效才 
本文介绍了分步重复投影光刻机的i线和g线投影光刻物镜主要技术指标、设计要点、研制中解决的关键单元技术和设计试制结果。结果表明数值孔径NA＝0．42i线和NA＝0．45g线、视场15×15mm以及畸变＜±0．1μm的五倍缩小投影光刻物镜研制...
关键词：光学曝光 投影光刻物镜 光刻机 
相移掩模的制作被引量：2
《微细加工技术》1997年第1期8-16,共9页冯伯儒 陈宝钦 
国家自然科学基金;"微细加工光学技术国家实验室"基金
本文阐述相移掩模（PSM）技术研究中，常用的几种主要相移掩模制作方法，重点介绍了无铬PSM、Levenson交替型PSM、边缘PSM、亚分辨辅助PSM以及激光直写制作PSM的方法。
关键词：光学曝光 相移掩模 掩模制造 
光学微细加工技术现状及发展前景
《电子工业专用设备》1990年第3期2-12,27,共12页马云骧 
光学曝光技术在八十年代得到了飞速发展,它已成为半导体微细加工极为重要的手段。光学微细加工技术的大发展,促进了半导体集成电路制造技术的发展。 回顾半导体光学微细加工技术发展现状,探讨其发展前景,对进一步发展我国的半导体集成...
关键词：光学曝光 微细加工技术 半导体 
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