ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
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碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料被引量：7
《微纳电子技术》2017年第7期499-504,共6页孙亚楠 石云波 王华 任建军 杨阳 
国家杰出青年基金自然基金资助项目(51225504)
SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的...
关键词：碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 掩膜图形化 选择比 刻蚀形貌 
低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率被引量：1
《微纳电子技术》2011年第5期333-337,共5页潘岭峰 李琪 伊晓燕 樊中朝 王良臣 王军喜 
首先分析了在制作GaN基LED时,采用干法刻蚀技术会对材料的表面和量子阱有源区造成损伤,影响了GaN基LED的内量子效率。针对这个问题,研究实验采用感应耦合等离子反应刻蚀(ICP-RIE)技术,分别选择了氯气/三氯化硼(Cl2/BCl3)气体体系和氯气...
关键词：发光二极管(LED) 氮化镓(GaN) 干法刻蚀 低损伤 内量子效率 
ICP刻蚀在微加速度传感器制作中的应用被引量：1
《微纳电子技术》2010年第11期713-717,共5页周敬然 张海英 瞿鹏飞 董玮 刘彩霞 
吉林省科技发展计划项目(20090105)
针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为40μm时深刻蚀的最佳工艺参数,即采用BOSCH工艺,压力设定为6Pa,在刻蚀过程中通入流量为100cm3/min的...
关键词：微机电系统(MEMS) 加速度传感器 反应离子刻蚀 高深宽比 深刻蚀 
ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用
《微纳电子技术》2010年第8期503-506,共4页张力江 幺锦强 崔玉兴 付兴昌 
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i...
关键词：GAAS 感应耦合等离子体 P-I-N二极管 湿法腐蚀 干法刻蚀 
高密度Si基半导体电容器的性能及其制作被引量：2
《微纳电子技术》2010年第6期367-371,375,共6页王惠娟 吕垚 戴丰伟 万里兮 
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2007AA01Z2a6);02科技重大专项资助项目(2009ZX02038)
随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工...
关键词：半导体电容 高密度电容 三维结构 退耦频率 ICP刻蚀 
ICP刻蚀技术与模型被引量：9
《微纳电子技术》2005年第6期288-296,共9页张鉴 黄庆安 
国家杰出青年科学基金资助课题(50325519)
从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了较为详细的介绍和比较,以使对ICP刻蚀技术及模型有一个较为全面的认识。
关键词：ICP刻蚀 等离子体 模型 
硅尖的制备
《微纳电子技术》2003年第7期164-166,共3页王艳华 孙道恒 
隧道硅尖的制备是微机械隧道传感器制作的一个重要组成部分 ,通过对ICP刻蚀和湿法各向异性刻蚀工艺制备硅尖实验的研究 。
关键词：隧道硅尖 各向异性刻蚀 微机械隧道传感器 ICP刻蚀 
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