高等学校科技创新工程重大项目(708083)

作品数：24被引量：48H指数：4
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相关期刊：《西安电子科技大学学报》《数据采集与处理》《物理学报》《电子与信息学报》更多>>
相关主题：高K栅介质乘法器NMOS器件SOI逻辑单元更多>>
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定点小数乘法器的低功耗算法与实现技术
《中南大学学报（自然科学版）》2014年第1期132-141,共10页袁博 刘红侠 
国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010)
针对集成电路前端设计中的定点小数乘法器,提出一种既能够优化其内部加法器数量又能优化各级加法结果位宽的低功耗算法,而且在算法的实现技术上,解决目前低功耗设计中算法自身逻辑单元引入被优化系统从而降低系统优化效果的问题。在介...
关键词：定点小数乘法 加法器数量 位宽 缺省 逻辑单元 功耗 面积 
针对定点小数乘法器位宽的优化算法
《西安电子科技大学学报》2013年第5期113-118,共6页袁博 刘红侠 
国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010)
提出了一种针对定点小数乘法器位宽的低功耗优化算法,阐述了其基本原理及实现方案,并通过现场可编程门阵列(FPGA)测试,验证了该算法的低功耗优化效果.在算法上,其优化指标为小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽;而在实现技术上...
关键词：小数乘法 位宽 缺省 逻辑单元 功耗 
针对乘法器内部加法运算次数的优化算法被引量：2
《西安电子科技大学学报》2013年第3期102-108,共7页袁博 刘红侠 
国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010)
提出一种针对乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为乘法器内部加法运算次数.在实现技术上,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题.该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系统运算精度、不增加...
关键词：乘法系数 加法运算数量 优化逻辑单元 功耗分析 
小数乘法器的低功耗设计与实现被引量：1
《数据采集与处理》2013年第3期376-381,共6页袁博 刘红侠 
国家自然科学基金(60976068)资助项目;教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083)资助项目;教育部博士点基金(200807010010)资助项目
提出一种针对小数乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为综合后小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题。该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系...
关键词：小数乘法器 低功耗设计 数据宽度 优化逻辑 
总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应
《物理学报》2013年第3期244-249,共6页卓青青 刘红侠 彭里 杨兆年 蔡惠民 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助~~
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变...
关键词：总剂量效应 KINK效应 碰撞电离 背栅异常跨导 
前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究
《物理学报》2013年第3期367-373,共7页张旭杰 刘红侠 范小娇 樊继斌 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助~~
采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到18...
关键词：原子层淀积 ND2O3 前驱体温度 X射线光电子能谱仪 
栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究被引量：1
《物理学报》2012年第24期125-130,共6页彭里 卓青青 刘红侠 蔡惠民 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器...
关键词：PD SOI NMOS 总剂量辐照效应 栅长 偏置状态 
低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理被引量：2
《物理学报》2012年第24期403-409,共7页商怀超 刘红侠 卓青青 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结...
关键词：低剂量率 总剂量效应 KINK效应 跨导 
考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究被引量：3
《物理学报》2012年第24期470-475,共6页曹磊 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的...
关键词：量子化效应 高K材料 SOI MOSFET 阈值电压 
偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响被引量：5
《物理学报》2012年第22期167-172,共6页卓青青 刘红侠 杨兆年 蔡惠民 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助的课题~~
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,...
关键词：总剂量辐照效应 泄漏电流 栅偏置条件 碰撞电离 
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