云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(61076097)

国家自然科学基金(61076097): 作品数：22被引量：24H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：刘红侠卓青青蔡惠民杨兆年郝跃更多>>; 相关机构：西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《Chinese Physics B》《物理学报》《Science China(Information Sciences)》更多>>; 相关主题：NMOS器件SOI总剂量效应HFO2DEPOSITED更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响被引量：1: 《物理学报》2014年第1期262-267,共6页刘红侠王志卓青青王倩琼; 国家自然科学基金(批准号:61076097,11235008);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~; 本文通过实验研究了0.8μm PD(Partially Depleted)SOI(Silicon-On-Insulator)p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transistor(MOSFET)经过剂量率为50 rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的总剂量效应,分析了沟道长度对器件辐照效应的影...; 关键词：总剂量辐照阈值电压漂移跨导退化界面陷阱电荷

三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应被引量：2: 《物理学报》2013年第17期380-385,共6页卓青青刘红侠王志; 国家自然科学基金(批准号:61076097,60936005);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助的课题~~; 本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用...; 关键词：单粒子脉冲电流漏极收集电荷总剂量效应

Evidence of GeO volatilization and its effect on the characteristics of HfO_2 grown on a Ge substrate被引量：2: 《Chinese Physics B》2013年第3期501-504,共4页樊继斌刘红侠费晨曦马飞范晓娇郝跃; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976068 and 61076097);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project of the Ministry of Education of China (Grant No. 708083); HfO2 films are deposited by atomic layer deposition（ALD） using tetrakis ethylmethylamino hafnium（TEMAH） as the hafnium precursor,while O3 or H2O is used as the oxygen precursor.After annealing at 500℃ in nitrogen...; 关键词：GeO volatilization H2 O-based HfO2 O3-based HfO2 thermal stability

Influences of different oxidants on the characteristics of HfAlO_x films deposited by atomic layer deposition: 《Chinese Physics B》2013年第2期487-491,共5页樊继斌刘红侠马飞卓青青郝跃; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976068 and 61076097);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China (Grant No. 708083); A comparative study of two kinds of oxidants（H2O and O3） with the combinations of two metal precursors [trimethylaluminum（TMA） and tetrakis（ethylmethylamino） hafnium（TEMAH）] for atomic layer deposition（ALD） ...; 关键词：HfAlOx atomic layer deposition OXIDANTS ANNEALING

总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应: 《物理学报》2013年第3期244-249,共6页卓青青刘红侠彭里杨兆年蔡惠民; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助~~; 研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变...; 关键词：总剂量效应 KINK效应碰撞电离背栅异常跨导

前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究: 《物理学报》2013年第3期367-373,共7页张旭杰刘红侠范小娇樊继斌; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助~~; 采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到18...; 关键词：原子层淀积 ND2O3 前驱体温度 X射线光电子能谱仪

栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究被引量：1: 《物理学报》2012年第24期125-130,共6页彭里卓青青刘红侠蔡惠民; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~; 本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器...; 关键词：PD SOI NMOS 总剂量辐照效应栅长偏置状态

考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究被引量：3: 《物理学报》2012年第24期470-475,共6页曹磊刘红侠; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~; 本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的...; 关键词：量子化效应高K材料 SOI MOSFET 阈值电压

低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理被引量：2: 《物理学报》2012年第24期403-409,共7页商怀超刘红侠卓青青; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~; 本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结...; 关键词：低剂量率总剂量效应 KINK效应跨导

偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响被引量：5: 《物理学报》2012年第22期167-172,共6页卓青青刘红侠杨兆年蔡惠民郝跃; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助的课题~~; 本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,...; 关键词：总剂量辐照效应泄漏电流栅偏置条件碰撞电离

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