云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(10676008)

国家自然科学基金(10676008): 作品数：42被引量：142H指数：7; 导出分析报告; 相关作者：刘玉岭牛新环刘效岩张伟檀柏梅更多>>; 相关机构：河北工业大学天津理工大学石家庄经济学院更多>>; 相关期刊：《微细加工技术》《功能材料》《半导体技术》《河北工业大学学报》更多>>; 相关主题：化学机械抛光CMP去除速率粗糙度硬盘基板更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

The micro morphology correction function of a silicon wafer CMP surface被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2014年第5期17-20,共4页杨昊鹍刘玉岭孙鸣李英的; supported by the Major National Science and Technology Special Projects(No.2009ZX02308);the Tianjin Natural Science Foundation of China(No.10JCZDJC15500);the National Natural Science Foundation of China(No.10676008);the Fund Project of Hebei Provincial Department of Education(No.2011128); The oxidation induced stacking faults （OISFs） exposed on the surface of polished silicon substrate are harmful to the electrical performance and reliability of the device region located on the wafer surface. This wo...; 关键词：SILICON oxidation induced stacking fault chemical mechanical polishing defect density

CMP process optimization using alkaline bulk copper slurry on a 300 mm Applied Materials Reflexion LK system被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2013年第12期131-133,共3页王辰伟马锁辉刘玉岭陈蕊曹阳; Project supported by the Major National Science and Technology Special Projects(No.2009ZX02308);the Tianjin Natural Science Foundation of China(No.10JCZDJC15500);the National Natural Science Foundation of China(No.10676008);the Fund Project of the Hebei Provincial Department of Education(No.2011128); CMP process optimization for bulk copper removal based on alkaline copper slurry was performed on a 300 mm Applied Materials Reflexion LK system. Under the DOE condition, we conclude that as the pressure increases, th...; 关键词：CMP process optimization alkaline copper slurry design of experiment

微腐蚀去除硅衬底表面损伤及污染物研究: 《微纳电子技术》2012年第12期820-823,共4页田巧伟檀柏梅高宝红黄妍妍刘楠苏伟东; 国家自然科学基金资助项目(10676008);国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009zx02308); 硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子。制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯...; 关键词：化学腐蚀硅片清洗表面损伤颗粒清洗液

Planarization properties of an alkaline slurry without an inhibitor on copper patterned wafer CMP被引量：17: 《Journal of Semiconductors》2012年第11期134-138,共5页王辰伟刘玉岭田建颖牛新环郑伟艳岳红维; supported by the Major National Science and Technology Special Projects,China(No.2009ZX02308);the Tianjin Natural Science Foundation of China(No.lOJCZDJC 15500);the National Natural Science Foundation of China(No.10676008);the Fund Project of Hebei Provincial Department of Education,China(No.2011128); The chemical mechanical polishing/planarization（CMP） performance of an inhibitor-free alkaline copper slurry is investigated.The results of the Cu dissolution rate（DR） and the polish rate（PR） show that the alkal...; 关键词：planarization alkaline copper slurry inhibitor free copper pattern wafer

An advanced alkaline slurry for barrier chemical mechanical planarization on patterned wafers被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2012年第4期140-143,共4页王辰伟刘玉岭牛新环田建颖高宝红张晓强; Project supported by the Major National Science and Technology Special Projects(No.2009ZX02308);the National Natural Science Foundation of China(No.10676008);the Tianjin Natural Science Foundation of China(No.10JCZDJC15500);the Fund Project of Hebei Provincial Department of Education,China(No.2011128); We have developed an alkaline barrier slurry （named FA/O slurry） for barrier removal and evaluated its chemical mechanical planarization （CMP） performance through comparison with a commercially developed barrier s...; 关键词：barrier CMP alkaline barrier slurry surface roughness DISHING

晶片CMP后表面纳米颗粒的去除研究被引量：5: 《半导体技术》2011年第1期11-13,21,共4页陈海涛檀柏梅刘玉岭牛新环刘金玉; 02国家重大专项(2009zx02308);国家自然科学基金(10676008); 对晶片化学机械抛光(CMP)后表面吸附的纳米颗粒去除进行了研究,分析了晶片表面吸附物的种类及吸附机理。由于晶片表面吸附的有机物多为大分子物质,它在晶片表面的吸附除了容易处理的物理吸附外,还会和晶片表面构成化学键,形成难以处理...; 关键词：化学机械抛光清洗电化学纳米颗粒兆声清洗

ULSI硅衬底CMP速率稳定性的研究被引量：4: 《半导体技术》2010年第12期1167-1169,1182,共4页赵巧云周建伟刘玉岭刘效岩刘海晓; 国家自然科学基金联合基金(10676008);国家科技重大专项课题(2009ZX02308); 介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析。通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳定性的主要原因。并提出改进方案:控制好...; 关键词：化学机械抛光硅衬底去除速率循环抛光稳定性

Al-Mg合金化学机械抛光的实验研究被引量：2: 《半导体技术》2010年第12期1174-1177,共4页徐文忠刘玉岭牛新环穆会来; 国家自然科学基金资助项目(10676008);河北省教育厅科学研究计划项目(2007429); 将CMP技术用于Al-Mg合金表面加工中,根据抛光布特性及Al-Mg合金性质来选择抛光布。并从研究Al-Mg合金在碱性条件下化学机械抛光机理出发确定相应的抛光液,最后对Al-Mg合金化学机械抛光中pH值、压力、流量等主要参数进行优化实验。确定...; 关键词：化学机械抛光抛光布单因素法表面状态抛光液

磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响被引量：13: 《半导体技术》2010年第11期1064-1066,1082,共4页刘金玉刘玉岭项霞边娜; 国家自然科学基金资助项目(10676008);河北省教育厅计划项目(2007);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007); 蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题。在CMP系统中,磨料是决定去除速率及表面状态的重要因素。分析了化学机械抛光过程中抛光液中磨料的作用以及抛光...; 关键词：蓝宝石衬底化学机械抛光磨料去除速率粒径

BDD电化学结合表面活性剂的新型清洗方法: 《半导体技术》2010年第9期859-862,888,共5页周强刘玉岭高宝红刘效岩; 02国家重大专项(2009zx02308);国家自然科学基金(10676008);教育部博士基金(20050080007); 提出了一种新型抛光后的清洗方法,采用掺硼金刚石膜作阳极的电化学方法制备出氧化液,用其去除表面有机污染物,同时配合使用非离子表面活性剂去除表面固体颗粒。用金刚石膜电化学制备出氧化液,克服了单纯电化学氧化生成的强氧化性羟基自...; 关键词：金刚石膜电极电化学氧化氧化液颗粒有机物

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