云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家杰出青年科学基金(60025411)

国家杰出青年科学基金(60025411): 作品数：10被引量：25H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：郑有炓顾书林张荣施毅修向前更多>>; 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>; 相关期刊：《高技术通讯》《人工晶体学报》《微纳电子技术》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：INN半导体材料扫描电子显微镜MOCVD晶格匹配更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

In_2O_3纳米线制备及其特性被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第3期536-540,共5页谢自力张荣高超刘斌李亮修向前朱顺明顾书林韩平江若琏施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305);国家高技术研究发展规划(批准号:2001AA311110;2003AA311060;2004AA311080);国家自然科学基金(批准号:6039070;6039072;60476030);国家杰出青年基金(批准号:60025411);江苏省自然科学基金重点(批准号:BK2003203)资助项目~~; 使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有...; 关键词：IN2O3 纳米线 X射线衍射扫描电子显微镜

InN薄膜的退火特性被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2006年第2期340-344,共5页谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305);国家高技术研究发展规划(批准号:2001AA311110;2003AA311060;2004AA311080);国家自然科学基金(批准号:6039072;60476030);国家杰出青年基金(批准号:60025411);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210;BK2003203)资助项目~~; 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425...; 关键词：INN 热退火 X射线衍射扫描电子显微镜 X射线光电子谱

在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN被引量：1: 《人工晶体学报》2005年第6期1050-1055,共6页谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(G2000068305);国家高技术研究发展规划(No.2001AA311110;No.2003AA311060;No.2004AA311080);国家自然科学基金(No.69976014;No.69806006;No.69987001;No.6039072;No.60476030);国家杰出青年基金(No.60025411);江苏省自然科学基金重点项目(BK2003203); 利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(...; 关键词：INN 预淀积In纳米点 MOCVD

MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量：2: 《人工晶体学报》2005年第6期1118-1121,共4页李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(G2000068305);国家高技术研究发展规划(2001AA311110;2003AA311060;2004AA311080);国家自然科学基金(No.69976014;No.69806006;No.69987001;No.6039072;No.60476030);国家杰出青年基金(No.60025411);江苏省自然科学基金重点项目(BK2003203); 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上...; 关键词：MOCVD InxGa1-xN 薄膜缓冲层

InN材料及其应用被引量：7: 《微纳电子技术》2004年第12期26-32,共7页谢自力张荣毕朝霞刘斌修向前顾书林江若琏韩平朱顺明沈波施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000068305);国家高技术研究发展规划项目(2001AA3111102003AA311060);国家自然科学基金项目(699760146980600669987001);国家杰出青年基金项目(60025411);江苏省自然科学基金重点项目资助(BK2003203); 由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。; 关键词：INN 带隙半导体材料晶格常数晶格匹配

退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响被引量：5: 《微纳电子技术》2004年第11期24-27,共4页陈晓清谢自力张荣修向前顾书林韩平施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(G2000068305);国家高技术研究发展规划(2001AA311110;2003AA311060);国家自然科学基金(69976014;69806006;69987001);国家杰出青年基金(60025411);江苏省自然科学基金重点项目资助(BK2003203); 利用溶胶鄄凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜。研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响。结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒变大,c轴取向性变好,紫外发光强度增强。; 关键词：纳米ZNO薄膜发光特性硅衬底退火温度发光性能 C轴取向发光强度紫外溶胶-凝胶法锌矿

GaN纳米线材料的特性和制备技术被引量：4: 《纳米技术与精密工程》2004年第3期187-191,共5页谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌江若琏沈波顾书林韩平朱顺明施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划项目 (G2 0 0 0 0 6830 5) ;国家高技术研究发展规划项目 (2 0 0 1AA31 1 1 1 0 ;2 0 0 3AA31 1 0 60 ) ;国家自然科学基金资助项目 (699760 1 4;6980 60 0 6;699870 0 1 ) ;国家杰出青年基金资助项目 (60 0 2 541 1 ) ;江苏省自然科学基; GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课...; 关键词：GAN纳米线宽禁带半导体相关器蓝光二极管 PL谱化合物半导体微波器件 CVD法中心化学性质

Mn^+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第12期1276-1279,共4页李杰张荣修向前卢佃清俞慧强顾书林沈波郑有炓; 国家重点基础研究发展规划 (No.G2 0 0 0 0 683 0 5 ) ;国家高技术研究发展规划 (No.2 0 0 1AA3 11110 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :699760 14 ;60 13 60 2 0 ;699870 0 1);国家杰出青年基金 (No.60 0 2 5 411)资助项目~~; 利用离子注入法将磁性离子 Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的 Ga N薄膜中 ,获得了稀磁半导体 (Ga,Mn) N.光致发光谱结果显示由于 Mn的注入 ,使 Ga N中常见的黄带发射被大大抑制 .在反射和吸收光谱中 ,观察到锰引入的新吸收带 ...; 关键词：稀磁半导体 DMS GAN薄膜 Mn+ 铁磁性居里转变温度离子注入光学性质光致发光谱

III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制: 《高技术通讯》2003年第7期50-53,共4页俞慧强张荣周玉刚沈波顾书林施毅郑有炓; 863计划 ( 2 0 0 1AA3 11110 ) ;973规划 (G2 0 0 0 0 683 0 5 ) ;国家自然科学基金 ( 699760 14 ;6980 60 0 6;699870 0 1);国家杰出青年基金 ( #60 0 2 5 411)资助项目; 研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流电压特性。; 关键词：III族氮化物肖特基势垒二极管氮化钾半导体材料氮化铝理想因子势垒高度能带

Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究: 《高技术通讯》2002年第3期47-49,共3页汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓; 国家重点基础研究专项(G20000683);国家杰出青年科学研究基金(60025411);国家自然科学基金(69976014,69636010,69806006,69987001);863计划(863307123(05),8637150010220,8637150110031)资助项目; 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横...; 关键词：微结构和光学性质 HVPE横向外延GaN Si(III)衬底

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