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国家自然科学基金(90101009): 作品数：10被引量：29H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：叶志镇赵炳辉王新昌曹亮亮何军辉更多>>; 相关机构：浙江大学扬州大学郑州大学山东大学更多>>; 相关期刊：《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》《无机材料学报》《Science Bulletin》更多>>; 相关主题：脉冲激光沉积C轴取向硅衬底LINBO3硅基更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜: 《人工晶体学报》2007年第1期134-137,145,共5页王新昌叶志镇曹亮亮赵炳辉; 国家自然科学基金重大研究规划项目资助(No.90101009); 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原...; 关键词：LiTaO3薄膜 SiO2/Si衬底 C轴取向脉冲激光沉积

非晶态SiO_2过渡层上高C轴取向LiNbO_3薄膜的PLD生长: 《四川大学学报（自然科学版）》2005年第S1期434-436,共3页何军辉朱骏毛翔宇陈小兵叶志镇; 国家自然科学基金"光电信息功能材料"重要研究计划面上项目(90101009);浙江自然科学基金(502067); 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态Si O2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度c轴取向性的Li NbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电镜和原子力显微镜等手段对Li NbO3薄膜的结晶品质和c轴取向性等进行了系统的分析...; 关键词：LiNbO_3薄膜 C轴取向光波导 PLD技术硅基

硅基LiNbO_3薄膜的光波导性能研究: 《真空科学与技术学报》2005年第4期245-248,共4页王新昌叶志镇李士玲曹亮亮赵炳辉; 国家自然科学基金重大研究规划项目资助(No.90101009); 利用脉冲激光沉积技术在硅衬底上生长高c轴取向LiNbO3薄膜。研究了衬底温度对薄膜质量的影响,发现衬底温度在600℃时获得了具有优异结晶质量的高c轴取向LiNbO3薄膜。采用扫描电镜和透射电镜分别对薄膜的表面、截面进行了分析,结果表明,...; 关键词：脉冲激光沉积 LiNbO3薄膜光波导硅衬底

脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上生长高c轴取向LiNbO_3薄膜: 《真空科学与技术学报》2005年第3期211-213,221,共4页曹亮亮叶志镇王新昌赵炳辉; 国家自然基金重大研究规划项目赞助(No.90101009); 在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,在单晶Si(111)衬底上生长具有优良结晶品质和高c轴取向的LiNbO3晶体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子...; 关键词：LINBO3 SI(111) C轴取向脉冲激光沉积

LiNbO_3声表面波特性及其应用被引量：1: 《材料导报》2004年第10期79-81,共3页曹亮亮叶志镇王新昌; 国家自然科学基金重大研究规划(90101009); LiNbO_3因其优异的压电性能和声表面波特性被广泛应用于声表面波器件中。着重介绍LiNbO_3的压电性能、声表面性能及其薄膜制备技术,对通过不同制备工艺生长出的LiNbO_3薄膜的质量和声表面波性能进行了比较,并简要介绍了LiNbO_3在声表面...; 关键词：LiNbO3薄膜声表面波器件薄膜制备压电性能新进展表面性能领域

Highly C-axis oriented LiNbO3 thin film on amorphous SiO2 buffer layer and its growth mechanism: 《Chinese Science Bulletin》2003年第21期2290-2294,共5页HEJunhui YEZhizhent; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.90101009);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(Grant No.502067).; LiNbO3 waveguiding films with highly C-axis orientation and superior crystallographic quality have been deposited on the amorphous SiO2 buffer layer of Si wafer by pulsed laser deposition (PLD) technique. X-ray diffra...; 关键词：LiNbO3薄膜 SIO2 生长机制二氧化硅脉冲激光沉积铁电氧化物

非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨被引量：1: 《科学通报》2003年第19期2031-2035,共5页何军辉叶志镇; 国家自然科学基金重大研究计划面上项目基金(批准号:90101009);浙江省自然科学基金(批准号:502067)资助项目.; 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO_2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO_3光波导薄膜。利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO_3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系...; 关键词：铌酸锂薄膜 LiNbO3薄膜 C轴取向性光波导薄膜脉冲激光沉积非晶态SiO2过渡层生长机制基底效应

氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响被引量：3: 《真空科学与技术》2003年第2期129-131,135,共4页王新昌叶志镇何军辉黄靖云顾星卢焕明赵炳辉; 国家自然科学基金重大研究规划项目资助 (No 90 10 10 0 9); 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完...; 关键词：PLD法硅衬底 LiNb03晶体薄膜 C轴取向薄膜生长脉冲激光沉积氧压铌酸锂薄膜半导体

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量：21: 《无机材料学报》2003年第1期11-18,共8页叶志镇张银珠徐伟中吕建国; 国家重点基础研究专项经费"973"G20000683;国家自然科学基金重大研究规划项目(90101009); ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直...; 关键词：研究进展 ZNO薄膜 P型掺杂氧化锌半导体

激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2002年第5期488-491,共4页黄靖云叶志镇汪雷叶龙飞赵炳辉; 国家自然科学基金重大研究规划资助项目 (编号 :90 10 10 0 9)~~; 采用激光脉冲沉积 ( PL D)法在 Si( 10 0 )衬底上生长得到了完全 c轴择优取向的 L i Nb O3( L N)薄膜 ,X射线衍射分析表明 L N( 0 0 6)衍射峰的半峰宽为 0 .3 5°.利用棱镜耦合器 ,激光可以被耦合到 L N薄膜中 ,形成 TE和 TM模式的光波...; 关键词：光波导铌酸锂薄膜激光脉冲沉积法铁电材料

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