无锡中微晶园电子有限公司

作品数：26被引量：30H指数：3
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一种低暗电流红外光敏晶体管理论与工艺研究
《电子器件》2024年第6期1441-1444,共4页陈培仓 徐阳 张铮 史良旭 王涛 吴建伟 
针对现有红外光敏晶体管芯片125℃高温下暗电流超过1 mA/mm^(2),无法胜任高温场景应用难题,开展了红外光敏晶体管暗电流影响因子研究。通过在结构上增加浓硼区注入设计和工艺上降低材料外延电阻率,获得了常温下暗电流小于1 nA/mm^(2)、...
关键词：红外光敏晶体管 暗电流 高温 浓硼 电阻率 
用于Si-APD的高能注入工艺优化研究
《电子与封装》2024年第11期81-85,共5页刘祥晟 荆思诚 王晓媛 张明 陈慧蓉 潘建华 朱少立 
雪崩区注入能量对硅基雪崩光电二极管性能影响极大,大束流高能注入工艺需要极高的设备成本。通过理论仿真计算和实验流片,调整雪崩区的注入能量和增加雪崩区的扩散时间,将注入能量从600 keV降低到390 keV,并在低成本的中束流离子注入机...
关键词：雪崩光电二极管 高能注入 反向击穿 
高灵敏度声表面波温度传感器设计及制造
《传感器世界》2024年第9期27-32,共6页朱赛宁 陈少康 陈培仓 王涛 
针对无线无源声表面波温度传感器灵敏度差的问题,设计制作了一款中心频率为434.8 MHz的谐振式声表面波温度传感器。基于声表面波温度传感器的工作原理,以Y-X切型石英材料为衬底,设计了传感器芯片结构及工艺制备流程,通过圆片级丝网印刷...
关键词：声表面波 温度传感器 叉指换能器 灵敏度 
N多晶电阻的温度漂移影响因子及工艺研究
《电子与封装》2024年第5期85-88,共4页陈培仓 周凌霄 洪成强 王涛 吴建伟 
多晶电阻在集成电路中应用广泛,可用作电路负载、阻尼、分压或分流,但是在实际使用过程中,多晶掺杂电阻的阻值由载流子浓度和迁移率决定,而2者都会受到温度的影响,因此多晶电阻的阻值随温度的变化而变化,且存在一定的温度系数。对N多晶...
关键词：多晶电阻 掺杂 温度漂移 
光电晶体管反向击穿特性研究
《电子与封装》2023年第6期76-79,共4页陈慧蓉 孔德成 张明 彭时秋 
由于特殊的应用场景,光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异,在器件设计时需要兼顾各项参数的影响。通过理论及仿真计算结合实验流片,归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素,包括掺杂浓度、结深以...
关键词：光电晶体管 反向击穿 掺杂浓度 放大倍数 
NJFET器件饱和电流影响因子及工艺优化研究被引量：1
《微电子学》2022年第6期1061-1064,共4页陈培仓 朱赛宁 潘建华 陈慧蓉 
针对N沟道结型场效应晶体管(NJFET)在工艺制造过程中极易出现饱和电流一致性差的问题,从一次氧化、栅注入和栅推结等方面对饱和电流工艺影响因子开展了实验研究,并提出了工艺优化和控制方法,使器件饱和电流参数得到有效控制,一致性由6....
关键词：JFET 饱和电流 氧化 注入 退火 
MEMS微压压力传感器的灵敏度优化被引量：7
《光学精密工程》2022年第13期1582-1590,共9页彭时秋 朱赛宁 
江苏省科技计划资助项目(No.BA2018059)。
为提高微机电系统微压压力传感器的灵敏度,根据硅压阻式压力传感器的工作原理介绍了影响压力传感器灵敏度的主要因素。使用COMSOL Mutilphysics有限元仿真软件开展压力敏感膜层厚度、压敏电阻摆放位置及压敏电阻长度对灵敏度影响规律的...
关键词：微机电系统 微压压力传感器 COMSOL mutilphysics 灵敏度优化 
可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究
《电子与封装》2022年第7期53-56,共4页孙建洁 张可可 陈全胜 
以互补金属氧化物半导体(CMOS)器件等比例缩小为动力的硅集成电路技术已迈入纳米级尺寸,并将继续保持对摩尔定律的追求,进一步缩小器件尺寸,以满足芯片高度集成化的要求。目前基于CMOS工艺的应变硅技术受到越来越广泛的应用。氮化硅致...
关键词：应变硅 氮化硅 压应力 张应力 
血压计用MEMS压力传感器设计与制造被引量：2
《传感器与微系统》2022年第3期79-82,共4页彭时秋 朱赛宁 肖步文 
针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度及线性度较难兼顾的问题,设计了一种可应用于电子血压计量程为40 kPa的MEMS压力传感器。首先基于硅压阻式MEMS压力传感器的工作原理,使用COMSOL Mutilphysics软件对传感器结构进行仿真设计,根据理...
关键词：压阻式微机电系统压力传感器 COMSOL Mutilphysics软件 灵敏度 非线性度 
多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究被引量：3
《电子与封装》2021年第4期50-53,共4页孙建洁 张可可 许帅 张明 
通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间...
关键词：多晶硅发射极晶体管 放大系数 界面氧化层 退火 
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