热载流子

作品数：305被引量：256H指数：7
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ZnSeTe/ZnTe多量子阱中载流子动力学过程
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1326-1329,共4页金华 刘舒 张立功 郑著宏 申德振 
用飞秒脉冲泵浦-探测技术通过时间分辨差分透射谱和透射衰减曲线研究了ZnSe0.2Te0.8/ZnTeII型多量子阱结构中热载流子的产生、弛豫及复合过程.观察到阱层和垒层中热载流子的形成,ZnTe垒层中热载流子在10ps左右会弛豫回ZnTe基态,并在10p...
关键词：ZnSeTe/ZnTe多量子阱 热载流子 泵浦-探测 
高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第4期757-764,共8页戴明志 刘韶华 程波 李虹 叶景良 王俊 江柳 廖宽仰 
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件...
关键词：衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入 
新型槽栅MOSFETs的特性
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1994-1999,共6页曹艳荣 马晓华 郝跃 于磊 
国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果...
关键词：自对准 槽栅器件 短沟道效应 热载流子效应 拐角效应 
衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1115-1119,共5页石凯 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究专项基金资助项目(批准号:TG2000036503)~~
研究了ETOXTM结构FLASHmemory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以...
关键词：FLASH MEMORY 热载流子 耐久性 碰撞电离 
薄栅CMOS的可靠性模型
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期257-261,共5页廖京宁 郭春生 刘鹏飞 吴月花 李志国 
介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型.随着晶体管特征尺寸的减小,现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测,因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型.同时提出了用于评价芯片寿命的热阻和结温的...
关键词：TDDB 热载流子 热阻 结温 
深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1813-1817,共5页刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部重点科技研究(批准号:104172);国防重大预研基金(批准号:41308060305);博士后基金(批准号:Q6312573)资助项目~~
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制.器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制.高温条件下,器件受到HCI和NBTI...
关键词：深亚微米pMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷 
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1390-1395,共6页杨林安 于春利 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常...
关键词：LDD NMOSFET 热载流子退化 沟道热载流子应力 漏雪崩热载流子应力 幸运电子模型 
pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应
《Journal of Semiconductors》2005年第5期1005-1009,共5页刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);博士后基金(批准号:Q6312573)资助项目~~
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这...
关键词：PMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷 
高可靠性P-LDMOS研究被引量：6
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1690-1694,共5页孙智林 孙伟锋 易扬波 陆生礼 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA1Z15 5 0;2 0 0 3 AA1Z14 0 0 )~~
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响 ,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度 .模拟结果显示 ,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场 ,从而缓解沟道热载流子效应 ,提高 P- L DMOS的可靠性 .
关键词：LDMOS 沟道 峰值电场 热载流子效应 
HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化
《Journal of Semiconductors》2004年第4期436-440,共5页胡靖 赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 3 ); MOTOROL A Digital DNA实验室资助项目~~
研究了超薄栅 (2 .5 nm )短沟 HAL O- p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性 .随着应力电压的变化 ,器件的退化特性也发生了改变 .在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命 .在高场应力下器件退化...
关键词：热载流子 一次碰撞电离 二次碰撞电离 复合 
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