离子刻蚀

作品数：441被引量：769H指数：11
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响被引量：2
《半导体技术》2016年第5期384-389,共6页郭立建 韩军 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 
国家自然科学基金资助项目(61204011;11204009);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升资助项目(PXM2014_014204_07_000018)
通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（...
关键词：反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性 
BCB在光电芯片制造中的工艺研究
《半导体技术》2012年第3期197-200,共4页钟行 王任凡 李林 阳红涛 
BCB树脂具有良好的平坦化特性、电气特性和热稳定性,相比于聚酰亚胺等其他介质,它具有介电常数小,吸水率低,固化温度低和可靠性高等特点,可以用于进行沟槽填充。研究了一种采用BCB介质进行沟道填充的倒台结构脊波导激光器,并且优化了涂...
关键词：苯并环丁烯 倒台 沟槽填充 涂覆 固化 等离子刻蚀 
RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响被引量：1
《半导体技术》2010年第6期527-530,共4页郑倩 刘正堂 李阳平 张淼 车兴森 
航空科学基金资助项目(2008ZE53043)
利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发...
关键词：反应离子刻蚀 亚波长结构 挥发性产物 钝化膜 各向异性 
纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究
《半导体技术》2010年第4期357-360,共4页黄康 李海华 王庆康 
国家自然科学基金资助项目(60808014);国家重点实验室基金资助项目(9140C790305090C79);上海市纳米专项(0852nm06600)
压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会...
关键词：纳米压印 反应离子刻蚀 去胶速率 正交试验 
故障树分析法在半导体设备故障诊断中的应用被引量：4
《半导体技术》2007年第3期205-207,共3页姚刚 
介绍了故障树分析法的原理。以反应离子刻蚀(RIE)设备的典型故障为例,建立故障树,通过求解最小实际故障来进行定性分析。尝试扩展故障树在故障判断和改进真空系统可靠性方面的应用,得出几个有针对性的结论。该方法能提高故障诊断的效率...
关键词：反应离子刻蚀 故障树 最小 割集 
反应离子刻蚀加工工艺技术的研究被引量：18
《半导体技术》2006年第6期414-417,共4页来五星 廖广兰 史铁林 杨叔子 
国家自然科学基金项目(50405033;50575078)
反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺...
关键词：微机电系统 工艺 反应离子刻蚀 
SF_6/O_2/CHF_3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究被引量：7
《半导体技术》2005年第6期28-31,共4页周宏 赖建军 赵悦 柯才军 张坤 易新建 
中国博士后研究基金(2002031254)
采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择...
关键词：反应离子刻蚀 硅 刻蚀速率 选择比 
Al-Si合金RIE参数选择被引量：3
《半导体技术》2004年第11期19-21,共3页李希有 周卫 张伟 仲涛 刘志弘 
采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选...
关键词：反应离子刻蚀 正交试验 Al刻蚀 刻蚀速率 
高有效孔径比面阵石英微透镜阵列研究被引量：2
《半导体技术》2004年第4期52-55,共4页柯才军 易新建 赖建军 
国家863高技术发展计划资助项目(41321030204)
为了提高可见光CCD图像传感器的填充因子从而提高CCD的信噪比,在石英基片上制作了516×516元的微透镜阵列。本文对石英微透镜阵列的制作工艺过程进行了详细讨论。最后的测量结果表明所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓和较好的几何尺...
关键词：有效孔径比 CCD 图像传感器 石英微透镜阵列 反应离子刻蚀 
一种新的隔离结构表面平坦化技术被引量：1
《半导体技术》2002年第7期26-28,共3页王哲 程序 亢宝位 吴郁 王玉琦 
为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化。结果表明隔离结构边缘陡峭,...
关键词：隔离结构 表面平坦化 反应离子刻蚀 湿法腐蚀 
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