埋层

作品数：118被引量：155H指数：5
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薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1350-1353,共4页魏星 王湘 陈猛 陈静 张苗 王曦 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60476006)~~
在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用...
关键词：薄膜厚埋层SOI材料 注氧键合技术 剖面透射电镜 
隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第3期559-562,共4页许剑 丁磊 韩郑生 钟传杰 
在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数...
关键词：阈值电压 二维效应 全耗尽SOI HALO结构 
带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1267-1271,共5页李琦 张波 李肇基 
提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with pburied layer).通过表面注入n+薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二...
关键词：p埋层 表面注入 表面电场 击穿电压 模型 
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1832-1837,共6页罗小蓉 李肇基 张波 
国家自然科学基金(批准号:60436030);模拟IC国家重点实验室基金(批准号:9140C0903050605)资助项目~~
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化...
关键词：SOI 低k介质埋层 纵向电场 击穿电压 自热效应 
n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1269-1273,共5页王小松 李泽宏 王一鸣 张波 李肇基 
提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底的结电容比常规LDMOS和PSOI LDMOS分别降低39.1%...
关键词：PSOI n埋层 射频功率LDMOS 输出特性 
具有p型埋层PSOI结构的耐压分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2149-2153,共5页段宝兴 张波 李肇基 
提出了一种具有P型埋层的PSOI器件耐压新结构，称为埋层PSOI（BPSOI）．其耐压机理是，通过P型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生新的峰而使击穿电压提高；P型埋层的电中性作用增加了漂移区优化的浓度而使比导通...
关键词：BPSOI附加电场 击穿电压 比导通电阻 
具有复合埋层的新型SIMON材料的制备被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第7期814-818,共5页易万兵 陈猛 张恩霞 刘相华 陈静 董业民 金波 刘忠立 王曦 
国家杰出青年基金资助项目 (批准号 :5 992 5 2 0 5 )~~
采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧...
关键词：SIMON SOI 氮氧共注入 PACC 8100 
多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第2期189-193,共5页谢欣云 刘卫丽 门传玲 林青 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助项目 ~~
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词：绝缘埋层 氮化硅薄膜 SOI结构 多孔硅外延转移 
C^+注入硅形成β-SiC埋层研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第2期140-145,共6页陈长清 杨立新 严金龙 陈学良 
上海一美国应用材料研究与发展基金
在200℃和680℃下对P型（100）单晶硅进行不同剂量的C+注入，实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在＜100＞取向生长的结晶态，经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后，结晶度得到进一步增强；200℃下注入形成的β-SiC埋层为无定形态...
关键词：碳化硅 埋层 注入 
为SIMOX　SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
《Journal of Semiconductors》1994年第9期611-616,共6页牛国富 阮刚 
本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺...
关键词：硅膜 二氧化硅 SOI 离子注入 
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