硅片直接键合

作品数:30被引量:64H指数:5
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适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术被引量:1
《微电子学》2004年第2期215-216,共2页羊庆玲 冯建 
 采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
关键词:VDMOSFET 硅片直接键合 疏水处理 SOI 范德华力 
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性被引量:4
《微电子学》1999年第5期354-357,共4页何进 王新 陈星弼 
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
关键词:半导体工艺 表面处理 硅片直接键合 亲水处理 
晶片键合技术及其在微电子学中的应用被引量:6
《微电子学》1999年第1期44-49,共6页吴东平 黄宜平 竺士炀 
论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域中的应用。
关键词:集成电路 硅片直接键合 SOI结构 三维器件 
短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究
《微电子学》1997年第5期323-325,共3页詹娟 
利用硅栅自对准全离子注入工艺制备了SOI/SDBCMOS器件,讨论了该器件的短沟道效应、“Kink”效应以及SOI硅膜厚度对NMOS、PMOS管参数的影响。
关键词:SOI 硅片直接键合 CMOS 硅器件 集成电路 
硅片直接键合工艺中的热过程被引量:1
《微电子学》1993年第6期47-49,55,共4页曹广军 秦祖新 余跃辉 彭昭廉 
本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n^+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5...
关键词:硅片直接键合 健合界面 击穿电压 
硅片直接键合界面的存在对器件性能的影响
《微电子学》1993年第6期43-46,共4页詹娟 孙国樑 刘光廷 
国家自然科学基金资助项目
利用电子透射显微镜(TEM)和俄歇分析仪(AES)观察硅片直接键合界面结构,在界面存在一个小于2nm厚的非晶区-硅氧化物。此界面具有良好的吸杂效应,在同一退火温度下,退火时间愈长,吸杂现象愈明显。因此键合界面的存在改善了晶体管的性能。
关键词:硅直接键合 界面 半导体器件 性能 
硅片直接键合过程中的界面控制被引量:1
《微电子学》1993年第1期11-14,共4页张正璠 
本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。
关键词:单晶硅 Si/Si界面 SOI 键合工艺 
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