硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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硅片直接键合杂质分布的模型与模拟被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第8期887-891,共5页张佩君 黄庆安 
教育部科学与技术研究资助项目 (No .0 0 0 65 )~~
根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型 ,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布 .并利用MATLAB软件 ,编写了键合工艺模拟程序 ,计算结果与实验进行了比较 .该模型可以为相关器件的研究提供参考 .
关键词：硅片直接键合 本征氧化层 扩散 微机电系统 功率器件 
用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术被引量：6
《半导体技术》1999年第5期19-22,共4页肖天龙 茅盘松 袁璟 
针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细...
关键词：MEMS 低温 硅片直接键合 氧等离子体激活 IC 
短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究
《微电子学》1997年第5期323-325,共3页詹娟 
利用硅栅自对准全离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。
关键词：SOI 硅片直接键合 CMOS 硅器件 集成电路 
硅片直接键合技术及应用
《电子器件》1996年第4期256-261,共6页唐国洪 
本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件。
关键词：硅片直接键合 高压功率器件 介质隔离器件 
自封闭低压硅场致发射二极管的研究
《电子学报》1996年第8期115-117,共3页秦明 黄庆安 魏同立 
国家自然科学基金;国防科技预研基金
本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详...
关键词：真空微电子学 自封闭二极管 硅片直接键合 
硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用
《电子器件》1995年第2期86-89,共4页茅盘松 
本文介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需高温长时间的扩散，由于衬底质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少，生产效率提高。
关键词：双极功率器件 硅片直接键合 应用 
SDB／MCT新型功率器件的研究被引量：2
《微电子学与计算机》1995年第2期54-55,共2页唐国洪 陈德英 周健 
本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳...
关键词：功率器件 硅片直接键合 MCT 
硅片直接键合界面的存在对器件性能的影响
《微电子学》1993年第6期43-46,共4页詹娟 孙国樑 刘光廷 
国家自然科学基金资助项目
利用电子透射显微镜(TEM)和俄歇分析仪(AES)观察硅片直接键合界面结构,在界面存在一个小于2nm厚的非晶区-硅氧化物。此界面具有良好的吸杂效应,在同一退火温度下,退火时间愈长,吸杂现象愈明显。因此键合界面的存在改善了晶体管的性能。
关键词：硅直接键合 界面 半导体器件 性能 
新型功率器件MCT的研究
《电子器件》1993年第2期87-93,共7页唐国洪 陈德英 周健 
本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42...
关键词：晶闸管 功率器件 硅片直接键合 MOS控制 晶闸管 
硅片直接键合技术及其应用
《电子工艺技术》1991年第4期14-16,共3页张佐兰 
本文简要介绍硅片直接键合和它的减薄技术以及该技术在微电子学中的应用。
关键词：硅片 直接键合 SDB 键合 
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