Δ掺杂

作品数：64被引量：43H指数：3
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量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第2期310-314,共5页郑卫民 宋淑梅 吕英波 王爱芳 陶琳 
国家自然科学基金(批准号:60776044);山东省自然科学基金(批准号:2006ZA10001)资助项目~~
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺...
关键词：量子限制效应 浅受主杂质 Δ掺杂 GaAs/AlAs多量子阱 光致发光谱 
MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第9期934-936,共3页曹昕 曾一平 孔梅影 王保强 潘量 张昉昉 朱战萍 
"九五"国家重点科技攻关项目!97-770 -0 1 -0 1支持课题&&
用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m ...
关键词：PHEMT MBE AlGaAs/InGaAs 掺杂 
Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应
《Journal of Semiconductors》2000年第1期51-55,共5页胡古今 张雷 戴宁 陈良尧 
国家自然科学基金
通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ｇａ δ掺杂ＺｎＳｅ 超晶格的稳恒光电导效应．被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为１２０Ｋ，另一块样品的淬灭温度接近２９０Ｋ．描...
关键词：光电导 超晶格 硒化锌 镓 掺杂 
δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第6期497-500,共4页程文超 夏建白 郑文硕 黄醒良 金载元 林三镐 瑞恩庆 李亨宰 
本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似，计算了自...
关键词：硅 掺杂 结构 多量子阱 吸收边 漂移 
几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究
《Journal of Semiconductors》1998年第3期177-180,共4页刘兴权 陆卫 陈效双 乔怡敏 史国良 沈学础 
国家自然科学基金
本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该...
关键词：砷化镓 掺杂 PR 结构 
δ掺杂AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型
《Journal of Semiconductors》1997年第9期682-687,共6页张兴宏 杨玉芬 王占国 
本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs／GaAs高电子迁移串晶体管（HEMT）的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性，根据这个模型，我们应用二维数值模拟方法和自治求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二...
关键词：掺杂 砷化镓 镓铝砷化合物 二维量子模型 
温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响
《Journal of Semiconductors》1996年第8期561-566,共6页徐至中 
国家自然科学基金
采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．
关键词：势垒区 Δ掺杂 GESI SI 电子能带结构 温度 
势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构及电子密度分布被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期321-327,共7页徐至中 
在有效质量近似基础上，采用非均匀网格有限差分法，通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解，得到了生长在Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７（００１）衬底上的势垒区８掺杂量子阶Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布．讨论了量子阶的几何...
关键词：硅 GESI 量子阱 掺杂 电子能带结构 
硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第11期826-830,共5页陈祥君 杨宇 龚大卫 陆昉 王建宝 樊永良 盛篪 孙恒慧 
利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００...
关键词：硅 分子束外延 硼 掺杂 外延生长 
δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱
《Journal of Semiconductors》1995年第2期107-112,共6页沈文忠 黄醒良 唐文国 李自元 沈学础 
本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收...
关键词：晶体管 HEMT 光电流谱 AIGAAS INGAAS 砷化镓 
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