半导体场效应晶体管

作品数：328被引量：449H指数：9
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水平结构氢终端金刚石MOSFET的研究进展
《固体电子学研究与进展》2024年第3期185-195,共11页尹灿 邢艳辉 张璇 张丽 于国浩 张学敏 张宝顺 
国家自然科学基金资助项目(60908012,61575008,61775007,62074011,62134008)。
氢等离子体处理后的金刚石表面具有导电性,室温下二维空穴气(Two-dimensional hole gas,2DHG)面密度可达1013 cm-2,因此利用氢终端金刚石制备的场效应晶体管成为研究重点。本文基于金刚石优异的物理性质,介绍了两种氢终端金刚石2DHG的...
关键词：氢终端金刚石 二维空穴气 金属氧化物半导体场效应晶体管 耗尽型 增强型 金属氧化物 
短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型
《固体电子学研究与进展》2018年第4期251-256,共6页常红 王亚洲 柯导明 
国家自然科学基金资助项目(61376098;61076086);安徽教育厅自然科学研究重点项目(2006kj012a)
根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 源/漏寄生电阻 半解析模型 电势 
基于SiC MOSFET的霍尔迁移率在片测试方法被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第2期90-94,共5页刘岳巍 杨瑞霞 
河北省研究生创新资助项目(22OO56)
研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷...
关键词：霍尔迁移率 在片测试 碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 
SiO_2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第3期159-163,186,共6页刘航志 周郁明 袁晨 陈涛 
国家自然科学基金资助项目(51177003);安徽高校自然科学研究重点项目(KJ2016A805)
位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体...
关键词：界面陷阱 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 迁移率 损耗 
1200V碳化硅MOSFET设计
《固体电子学研究与进展》2016年第6期435-438,共4页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A...
关键词：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态 
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第5期424-428,共5页李尚君 高珊 储晓磊 
国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004)
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同...
关键词：双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管 沟道侧壁绝缘柱 表面势 电荷分享 漏感应势垒降低效应 短 
基于势阱近似的小尺寸MOSFETs反型层解析模型
《固体电子学研究与进展》2015年第2期124-128,共5页徐火希 兰志高 罗春娅 
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB165);黄冈师范学院科学研究基金资助项目(2012028803)
将垂直于栅氧化层/衬底界面方向的反型层电势分布规律近似为耗尽层的电势分布规律,采用WKB近似方法求解薛定谔方程,得到了量子机制下分析MOSFETs反型层的解析模型,进而对Al/SiO2/p-Si MOSFETs能级、子带电子密度和反型层质心进行了模拟...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 反型层 量子效应 温策尔-克雷默-布里渊方法 解析模型 
1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
《固体电子学研究与进展》2014年第6期510-513,共4页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 
国家高新技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压...
关键词：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态 
不同温度下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs迁移率的影响(英文)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第5期415-419,449,共6页周郁明 陈伟伟 
国家自然科学基金资助项目(51177003)
在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-SiC MOS电容的实验结果,采用计算机模拟研究了不同温度条件下...
关键词：4H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 表面粗糙度 温度依赖 场效应迁移率 计算机模拟 
一种具备良好泛化能力的神经网络MOSFET模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期309-314,共6页张济 赵柏衡 常胜 王豪 何进 黄启俊 
国家自然科学基金资助项目(61204096;J1210061);教育部博士点基金资助项目(20100141120040;20110141120074)
设计了一种具有良好泛化能力的神经网络MOSFET模型。通过对超阈值区域和亚阈值区域的分段建模,得到了对器件直流特性和温度特性的精确描述。采用自适应遗传算法对网络的泛化能力进行优化,使模型对训练样本集边界外的数据也有很好的计算...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 神经网络 泛化能力 遗传算法 VERILOG-A 
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