PIN光电二极管

作品数：100被引量：228H指数：8
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高帧频高灵敏度线列PIN-CMOS图像传感器研究被引量：1
《半导体光电》2020年第6期779-783,共5页陈世军 王欣 丁毅 施永明 解宁 
设计了一款高帧频高灵敏度双通道16元线列PIN-CMOS图像传感器。相对于传统的pn结光电二极管,PIN光电二极管具有结电容小和量子效率高的优点,可以降低CTIA像素电路的噪声,提高信噪比;同时采用一种新型的相关双采样电路结构,可以在边积分...
关键词：CMOS图像传感器 CTIA像素电路 PIN光电二极管 相关双采样电路 
基于HV-CMOS工艺集成PIN光敏元的CMOS传感器设计被引量：2
《半导体光电》2019年第3期333-337,363,共6页杨成财 鞠国豪 陈永平 
PIN光电二极管相对于pn结型光电二极管具有结电容小、量子效率高等优点,但采用标准低压CMOS(LV-CMOS)工艺研制的CMOS传感器只能实现基于n阱/p衬底的pn结光敏元与片上电路的集成,高压CMOS(HV-CMOS)工艺的发展为CMOS电路与PIN光敏元列阵...
关键词：CMOS图像传感器 HV-CMOS PIN光电二极管 3T像素结构 量子效率 
卫星星内漫反射无线光通信系统设计被引量：5
《半导体光电》2018年第5期707-711,共5页张子儒 张冬冬 丁雷 
中国科学院战略性先导科技专项项目(XDA15012200);中国科学院上海技术物理研究所创新专项项目(CX-22)
卫星星内漫反射无线光通信系统利用漫反射光作为传输介质替代传统的有线电缆,对卫星的减重、降能耗发挥了巨大作用,并可简化卫星在组装、集成和测试(AIT)阶段的工作。分析和仿真了卫星星内空间漫反射光传输链路。通过使用红外LED发射光...
关键词：无线光通信 红外LED PIN光电二极管 漫反射 光链路仿真 CAN总线通信 
硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟被引量：3
《半导体光电》2009年第5期681-683,共3页王祖军 刘以农 陈伟 唐本奇 黄绍艳 刘敏波 肖志刚 张勇 
分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100～109Gy(Si)/s范围内,诱发...
关键词：PIN光电二极管 电离脉冲辐射 光电流 数值模拟 
Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5
《半导体光电》2009年第1期21-24,共4页赵文伯 赵红 叶嗣荣 黄烈云 唐遵烈 罗木昌 杨晓波 廖秀英 向勇军 邹泽亚 
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～28...
关键词：ALXGA1-XN 日盲探测器 紫外焦平面阵列 PIN光电二极管 
硅PIN光电二极管光谱响应特性的数值模拟计算被引量：1
《半导体光电》2006年第6期690-693,共4页张卓勋 但伟 王波 向勇军 赵珊 鲁卿 
对硅PIN光电二极管的光谱响应特性作了详细的分析计算,得到了硅PIN光电二极管光谱响应的计算公式;给出了器件光谱响应曲线的绘制方法。实测数据与公式计算结果吻合较好。讨论了器件工艺参数变化对光谱响应的影响。
关键词：数值计算 光谱响应 硅光电二极管 
1.3μm高速PIN光电二极管被引量：7
《半导体光电》2001年第4期271-274,共4页陶启林 
综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的...
关键词：光电二极管 微波封装 GAINAS/INP 
LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管
《半导体光电》1995年第4期348-351,共4页刘宝林 黄美纯 陈朝 陈丽容 陈龙海 杨树人 陈伯军 王本忠 范爱英 李正庭 刘式墉 
福建省自然科学基金
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μ...
关键词：半导体器件 半导体工艺 光电二极管 
PIN结构自扫描光电二极管列阵被引量：3
《半导体光电》1995年第3期260-264,共5页何清义 黄友恕 吕果林 朱维安 
国家自然科学基金青年资金
从自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＡ）的工作原理出发，提出采用外延、离子注入、推阱的技术，研究一种新颖的高响应度的ＰＩＮ结构的ＳＳＰＡ器件，详细的分析了工艺设计方案和实验方法，最后提供了样品的测试参数。
关键词：图像传感器 PIN光电二极管 外延生长 离子注入 
16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺
《半导体光电》1995年第1期48-52,共5页王长安 徐重阳 周雪梅 张少强 赵伯芳 邹雪城 
研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备...
关键词：非晶半导体 异质结 荧光探测器 PIN光电二极管 
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