SOI材料

作品数：103被引量：62H指数：4
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薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1350-1353,共4页魏星 王湘 陈猛 陈静 张苗 王曦 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60476006)~~
在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用...
关键词：薄膜厚埋层SOI材料 注氧键合技术 剖面透射电镜 
基于低温键合技术制备SOI材料
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期189-192,共4页詹达 马小波 刘卫丽 宋志棠 封松林 
国家自然科学基金(批准号:60476006和60576014)和上海市重点攻关(批准号:055211001)资助项目
通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut...
关键词：SOI 等离子体活化 键合强度 
注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1269-1272,共4页张恩霞 钱聪 张正选 王曦 张国强 李宁 郑中山 刘忠立 
国家杰出青年基金(批准号:59925205);上海市基础研究基金(批准号:02DJ14069);国家自然科学基金(批准号:10305018)资助项目~~
分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制...
关键词：氧氮共注 SIMON SOI 离子注入 
基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺
《Journal of Semiconductors》2005年第1期138-142,共5页王文辉 唐衍哲 戈肖鸿 吴亚明 杨建义 王跃林 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G19990 3 3 10 4)~~
研究了基于绝缘材料上的硅 (SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺 .利用电感耦合等离子体刻蚀 (ICP)技术 ,在SOI材料上制作了垂直度大于 89°的光滑的光栅槽面 .氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度 (RMS)有 3nm的改善 ,...
关键词：刻蚀光栅 波导镜 电感耦合等离子体刻蚀 绝缘材料上的硅 分波器 
SOI光波导和集成波导光开关矩阵
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期212-215,共4页陈少武 余金中 刘敬伟 王章涛 夏金松 樊中朝 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312060)及国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000366)资助项目
报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开...
关键词：光波导 SOI材料 单模条件 光开关/光开关矩阵 
双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第12期1289-1292,共4页谭利文 王俊 王启元 郁元桓 邓惠芳 王建华 林兰英 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和 APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在 Si(10 0 )衬底上成功地制备了双异质 Si/γ- Al2 O3/Si SOI材料 .利用反射式高能电子衍射 (RHEED)、X射线衍射 (XRD)...
关键词：SOI MOCVD 双异质外延 Si/γ-Al2O3/Si 外延技术 
应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
《Journal of Semiconductors》2003年第8期813-816,共4页马芙蓉 李雪春 梁宏 吴虎才 李晓民 陈如意 罗晏 卢志恒 
国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 5 );北京市科委(合同号 :95 5 0 3 12 0 0 0 )资助项目~~
研究了采用感应耦合等离子体 原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 .同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果 .利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样 ...
关键词：SOI材料 金属污染 感应耦合等离子体技术 
O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1071-1074,共4页竺士炀 黄宜平 李爱珍 吴东平 王瑾 茹国平 包宗明 
1997 年度"大众电脑青年科研奖助金"资助
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜...
关键词：SOI材料 表面缺陷 智能剥离 SIMOX 半导体材料 
红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究
《Journal of Semiconductors》1997年第8期603-608,共6页付军 栾洪发 田立林 钱佩信 周均铭 
国家基础性研究重大关键项目计划(攀登计划)研究课题
在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si／GexSi1－x／Si量子阱结构．在此基础上，采用常规的P－MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P－MOSFET．为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化，MBE以后除快速热退火（RTA）以外的所有工艺温度...
关键词：红外区熔再结晶 SOI材料 表面沟道 半导体 
利用SOI材料提高触觉传感阵列的性能
《Journal of Semiconductors》1991年第11期695-699,共5页吕世骥 黄庆安 童勤义 袁璟 
国家自然科学基金
利用半导体材料、平面工艺和微机械加工研制触觉传感器是当前触觉传感器研究开发的一个重要方面,其中硅膜片电容式触觉传感阵列则是在研究中被广泛采用的结构.然而,触觉传感阵列的性能常受到微机械加工精度的限制.为了提高电容式触觉传...
关键词：触觉传感器 SOI材料 微加工 
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