亚微米

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石英基底上亚微米级二元光学元件的电子束直写加工工艺
《微纳电子技术》2023年第3期461-467,共7页黄胜利 凌天宇 徐剑 胡敬佩 付学成 刘民 权雪玲 
2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400)。
使用电子束直写加工工艺,在石英基底上完成了亚微米级8台阶二元光学元件的光刻加工。由于石英基底为绝缘体,导电性差,不利于电子束直写时电荷的传导。为了抑制石英基底上电荷的积累,探讨了不同的增强导电技术对电子束直写效果的影响,最...
关键词：石英 亚微米 二元光学元件 电荷积累 电子束直写 
碳化硅表面亚微米减反射结构及其制作工艺
《微纳电子技术》2018年第12期917-921,共5页袁俊 黄兴 倪炜江 张敬伟 李明山 牛喜平 徐妙玲 杨永江 介芳 
创新性地提出一种经济高效的碳化硅表面亚微米减反射结构制作工艺,即＂黑碳化硅技术＂。该方法无需光刻,采用非完全后烘的光刻胶微掩膜反应离子刻蚀（RIE）工艺,克服了碳化硅材料由于高硬度和高化学稳定性而无法采用传统硅材料湿法工艺...
关键词：黑碳化硅技术 中间带太阳电池 网格状刻蚀 亚微米结构 表面减反射 
亚微米SiO_2颗粒的制备及影响因素分析
《微纳电子技术》2016年第6期415-419,共5页蔡允高 李炘琪 董盈红 
以正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,采用改进的Stober法（在反应体系中添加电介质NaCl）,获得了260~960 nm尺寸的亚微米SiO_2颗粒,通过扫描电镜（SEM）对其球形度、单分散性等进行表征分析,比较分析了TEOS和无水乙醇混合液的添加方式（分别为...
关键词：亚微米SiO_2颗粒 添加方式 氨水 球形度 单分散性 
亚微米间距PECVD填隙工艺研究被引量：1
《微纳电子技术》2016年第1期60-63,共4页王学毅 王飞 冉明 刘嵘侃 杨永晖 
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金...
关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞 
一种新型的自对准源漏接触技术
《微纳电子技术》2014年第5期328-332,共5页张琴 洪培真 崔虎山 卢一泓 贾宬 钟汇才 
国家科技重大专项资助项目(Y0GZ28X003)
提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术。这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料。在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以...
关键词：自对准源漏接触 金属侧墙 集成度 亚微米 前栅工艺 后栅工艺 
基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制被引量：3
《微纳电子技术》2012年第7期467-470,共4页康中波 韩国威 司朝伟 钟卫威 赵永梅 宁瑾 
国家自然科学基金资助项目(61006073);国家高技术研究发展项目(2006AA04Z339)
采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接...
关键词：射频微机电系统(RFMEMS) 滤波器 谐振原理 碳化硅 亚微米间隙 
纳米、亚微米的超窄脉宽微细电化学加工被引量：7
《微纳电子技术》2009年第11期684-690,共7页张朝阳 毛卫平 陈飞 
中国博士后科研基金(20080431072);江苏省博士后科研基金(0801004C);高校高级人才启动基金(07JDG069)
通过分析超窄脉冲实现纳米、亚微米级精度微细电解加工的机理和特点,说明脉冲电源的脉冲宽度减小至纳秒时,可将提高电解加工精度的方法综合运用,如小间隙电解加工、低浓度电解液、加工间隙的实时检测和调整控制等,从而增强电化学反应的...
关键词：微细电化学加工 超窄脉冲 试验系统 极间间隙 加工精度 
微纳级双极晶体管的热耗散研究
《微纳电子技术》2006年第10期461-463,475,共4页侯志刚 李惠军 许新新 
对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与...
关键词：超深亚微米 微纳级 双极性器件 热现象 集成电路 
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2
《微纳电子技术》2006年第4期203-208,共6页段成华 柳美莲 
国家863计划项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区 
集成电路可制造性设计中器件参数的提取
《微纳电子技术》2005年第12期578-582,共5页霍林 郭琦 李惠军 
分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。
关键词：超大规模集成电路 超深亚微米 可制造性设计 半导体器件模拟 
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