亚微米

作品数：1399被引量：2347H指数：14
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深亚微米工艺下单粒子瞬态引起的串扰效应
《微电子学与计算机》2015年第2期60-64,共5页蒋见花 卢奕岑 周玉梅 
国家科技重大专项(2009ZX02036-003)
随着集成电路工艺的发展,供电电压降低,线条变细,使得集成电路受到普通串扰和粒子辐射的影响更严重.由此对130~40nm工艺节点普通串扰和单粒子引起的串扰效应进行了对比分析.单粒子引起的串扰比普通串扰更加严重,而且随着工艺进步,单粒...
关键词：串扰 噪声 单粒子 
一种深亚微米复杂芯片物理设计的时序收敛方法被引量：2
《微电子学与计算机》2013年第11期139-142,共4页郑天华 梁利平 
深亚微米工艺下超大规模芯片的物理设计面临很多挑战,互连延时和串扰效应成为影响时序收敛的关键因素.文中介绍了一种采用二次综合、区域约束和串扰预防等措施实现渐进式时序收敛的方法.在65纳米工艺下,通过530万门多核DSP芯片设计验证...
关键词：深亚微米 时序收敛 连线延时 串扰效应 
保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响被引量：2
《微电子学与计算机》2012年第12期149-153,共5页曹琛 王俊峰 岳红菊 唐威 吴龙胜 
基于TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nm体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了保护环结构对深亚微米器件因单粒子辐照所产生的寄生双极效应.仿真结果表明,保护环结构能够大幅缩短器件SE...
关键词：保护环 深亚微米 器件模拟 单粒子辐照 寄生双极效应 
深亚微米抗辐射加固设计的SPICE仿真验证方法被引量：2
《微电子学与计算机》2010年第6期80-84,共5页王丹 岳素格 孙永姝 
由于在抗辐射加固设计(RHBD)中采用了环形栅的版图结构,由此引发了直栅SPICE仿真验证方法对RHBD不适用的问题.通过分析深亚微米工艺技术下环形栅结构的特性,建立了环形栅的有效栅宽长比算法,同时构建了环形栅的SPICE仿真模型,并针对抗...
关键词：环形栅 SPICE仿真 抗辐射加固 模型 版图参数网表 
深亚微米工艺ESD电路设计参数研究被引量：2
《微电子学与计算机》2009年第11期90-94,共5页李志国 岳素格 孙永姝 
通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理...
关键词：ESD NMOS 击穿 仿真 
深亚微米VLSI物理设计中天线效应的预防及修复被引量：6
《微电子学与计算机》2007年第8期42-45,48,共5页王伟 冯哲 候立刚 吴武臣 
深亚微米超大规模集成电路(VLSI)中金属互连线的天线效应(PAE)将会严重影响芯片物理设计的结果,甚至造成设计的失败。因此详细分析了天线效应的产生、危害和计算方法,重点讨论了深亚微米VLSI芯片物理设计中的PAE预防和修复方法,并且针...
关键词：天线效应(PAE) 深亚微米 VLSI 物理设计 预布线 迭代 
一种超深亚微米下IC光刻透射成像的快速算法
《微电子学与计算机》2006年第7期137-139,共3页付萍 
自然科学基金项目(60176015)
光学邻近效应校正(OPC)是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中,为了寻找合适的掩模补偿图形,必须迭代计算大量的空间稀疏分布的试探点成像。在这里提出了一种基于卷积核的快速稀疏空间光强的光刻仿真计算方法。一个双线性...
关键词：超深亚微米 光刻 光学邻近效应 主波 卷积核 
深亚微米CMOS混合信号电路衬底噪声耦合宏模型
《微电子学与计算机》2006年第5期128-131,135,共5页吴晓鹏 杨银堂 朱樟明 
国家自然科学基金项目(60476046);国家863计划项目(2002AA1Z1210);电子元器件可靠性重点实验室基金项目(51433030304DZ01)
提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型。该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度。此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件...
关键词：衬底噪声 数模混合电路 电阻宏模型 CMOS 
超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究被引量：3
《微电子学与计算机》2006年第4期122-127,129,共7页屠睿 刘丽蓓 李晴 邵丙铣 
采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静...
关键词：SRAM单元稳定性 静态噪声容限 阈值电压失配 
深亚微米SOC高压缩率EDT设计被引量：2
《微电子学与计算机》2006年第3期139-142,共4页吴赛 薛耀国 王豪才 
EDT(embeddeddeterministictest)是目前最有效的针对大规模片上系统的嵌入式测试方法,与常规基于ATPG的DFT(DesignForTestability)技术相比较,可以在保持相同缺陷覆盖率的情况下,大幅度降低测试成本,缩短测试时间,EDT的关键技术是解压...
关键词：微电子技术 嵌入式测试 研究与设计 测试矢量压缩 
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