HFET

作品数：103被引量：100H指数：5
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相关作者：薛舫时陈堂胜张志国杨克武杨瑞霞更多>>
相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学河北工业大学更多>>
相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子学》《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》《半导体技术》更多>>
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N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）被引量：1
《半导体技术》2016年第2期114-118,共5页房玉龙 王现彬 吕元杰 王英民 顾国栋 宋旭波 尹甲运 冯志红 蔡树军 赵正平 
由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线...
关键词：N极性 GaN/AlGaN 异质结场效应晶体管(HFET) 异质结 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 
AlGaN/GaNHFET逆压电效应抑制技术
《半导体技术》2014年第3期183-187,共5页戴伟 王丽 张志国 高学邦 吴洪江 
基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓度的变化,建立了电流崩塌效应的逆压电效应数值仿真模型。理论模拟显示:逆压电效应是引起电流崩塌效应的...
关键词：AlGaN GaN HFET 薛定谔方程 逆压电效应(IPPE) 源漏凹槽 电流崩塌 
GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6
《半导体技术》2014年第1期1-6,13,共7页赵正平 
GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。...
关键词：常开GaN功率开关器件 常关GaN功率开关器件 GAN高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaN异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件 功率变换 
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
《半导体技术》2013年第8期589-592,608,共5页张效玮 贾科进 房玉龙 冯志红 赵正平 
国家自然科学基金资助项目(60890192;60876009)
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结...
关键词：INALN GaN AlGaN双异质结 异质结场效应晶体管(HFET) 附加功率效率 碳 化硅(SiC) 功率增益截止频率 最高振荡频率 
2009年《半导体技术》34卷总目次
《半导体技术》2009年第12期I0001-I0004,共4页
关键词：半导体技术 电子技术 电流崩塌 栅介质 介质材料 HFET 李效白 ALGAN 目次 
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ)被引量：1
《半导体技术》2009年第2期101-106,共6页李效白 
关键词：ALGAN/GAN 电流崩塌 HFET 2DEG ALGAN/GAN 延迟现象 饱和电流 漏电流 
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)被引量：1
《半导体技术》2009年第1期1-5,共5页李效白 
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组...
关键词：铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 二维电子气 自发极化 压电极化 电流崩塌 陷阱效应 
(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性
《半导体技术》2008年第S1期49-51,共3页孙娟 谢自力 邱凯 尹志军 
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/Al GaAs p沟道HFET结构材料。通过控制V/Ⅲ束流和其他生长参数,优化了材料的生长条件。通过Si掺杂获得p型GaAs和Al GaAs材料,研制生长了微波毫米波器件应用的HFET器件结构材料。Hall测...
关键词：分子束外延 硅掺杂 P沟道 异质结构效应晶体管 
功率PHEMT器件大信号建模
《半导体技术》2008年第S1期15-20,共6页刘军 孙玲玲 吴颜明 
GaAs微波毫米波单片和模块电路国家重点实验室(9140C1402030803)
提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现...
关键词：GaAs/GaN PHEMT/HEMT/HFET 大/小信号 模型 VERILOG-A ADS2005A 
通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
《半导体技术》2008年第S1期112-115,共4页文于华 范冰丰 骆思伟 王钢 刘扬 
中山大学物理学基金项目(J0630320;J0730313)
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,...
关键词：铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 ANSYS 通孔结构 
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