INGAAS/INP

作品数：210被引量：371H指数：9
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10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器被引量：5
《半导体技术》2018年第4期280-284,共5页李庆伟 李伟 齐利芳 尹顺政 张世祖 
利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pi...
关键词：光电探测器 INGAAS/INP 响应度 响应速度 台面腐蚀 
10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1
《半导体技术》2017年第7期516-520,共5页尹顺政 郝文嘉 张宇 于浩 李庆伟 赵润 车相辉 
基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益...
关键词：INGAAS/INP 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD) 雪崩 频率响应 光通信 
光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1
《半导体技术》2016年第10期759-763,共5页尹顺政 齐利芳 赵永林 张豫黔 车向辉 张宇 
针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通...
关键词：InP 吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构的雪崩二极管(SAGCM APD) 雪崩 本地电场模型 光通信 
InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究被引量：4
《半导体技术》2010年第2期113-115,120,共4页刘英斌 林琳 陈宏泰 赵润 郑晓光 
研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度...
关键词：INGAAS 单原子层 台阶聚集 界面 金属有机物化学气相沉积 
贴合法制造长波长InGaAs/InP-GaAs/AlGaAs APD
《半导体技术》2009年第9期864-867,共4页沈力 
报道了一种用于长波长新的片直接贴合In0.53Ga0.47As/InP-GaAs/Al0.2Ga0.8As APD的设计和制造。使用MBE技术,在p+InP衬底上生长掺Be的p型InP薄层,在n+GaAs衬底上生长掺Be的p型GaAs薄层,并对此两薄层界面进行片直接贴合。成功地在1.3、1...
关键词：片直接贴合 长波长 雪崩光电二极管 分子束外延 外量子效率 
基于InGaAs/InP SHBT技术的10Gb/s单片跨阻放大器研究被引量：1
《半导体技术》2009年第7期701-703,共3页蔡道民 李献杰 赵永林 曾庆明 刘跳 郝跃 
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在Ic=10mA,Vce=2V时,fT和fmax分别为60、75GHz,电流密度为100kA/cm2,...
关键词：单异质结双极性晶体管 发射极-基极自对准 隔离基极压点 跨阻放大器 
2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
《半导体技术》2008年第11期1041-1043,共3页黄静 郭方敏 王志亮 
科技部重大项目资助(2006CB932802);南通大学自然科学项目资助(07Z039)
对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分...
关键词：InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器 低噪声读出电路 电容反馈互阻放大器 
探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第10期855-858,共4页庄四祥 冯士维 王承栋 白云霞 苏蓉 孟海杰 
北京市自然科学基金资助项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs...
关键词：探测器 光响应度 INGAAS/INP 结深 
InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4
《半导体技术》2008年第7期610-612,共3页刘英斌 陈宏泰 林琳 杨红伟 郑晓光 
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩...
关键词：金属有机化学气相淀积 锌扩散 退火 电化学C-V 光电探测器 
宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器
《半导体技术》2008年第S1期62-64,共3页归强 裴为华 陈弘达 
报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性...
关键词：INGAAS/INP 宽光谱响应 高响应度 光电探测器 探测器阵列 
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