云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAP/GAAS

INGAP/GAAS: 作品数：44被引量：35H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：吴德馨刘新宇齐鸣徐安怀郑丽萍更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所广东工业大学杭州电子科技大学更多>>; 相关期刊：《湖北大学学报（自然科学版）》《电子技术应用》《电子设计应用》《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>

A Ku-band wide-tuning-range high-output-power VCO in InGaP/GaAs HBT technology被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2015年第6期156-160,共5页张金灿张玉明吕红亮张义门刘博张雷鸣向菲; Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CBxxxx05);the Advance Research Project of China(No.51308xxxx06);the Advance Research Foundation of China(No.9140A08xxxx11DZ111);Doctoral Scientific Research Foundation of Henan University of Science and Technology(No.400613480011);the Foundation of He’nan Educational Commettee(No.15A510001); A fully integrated Ku-band voltage controlled oscillator （VCO） is presented in an InGaP/GaAs hetero- junction bipolar transistor （HBT） technology. To achieve the wide tuning range （TR）, the VCO employs a Colpitt...; 关键词：voltage controlled oscillator InGaP/GaAs HBT Ku band wide tuning range high output power

A broadband regenerative frequency divider in InGaP/GaAs HBT technology被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2014年第7期139-142,共4页张金灿张玉明吕红亮张义门刘敏钟英辉师政; supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CBxxxx05);the Advance Research Project of China(No.51308xxxx06);the Advance Research Foundation of China(No.9140A08xxxx11DZ111); A dynamic divide-by-two regenerative GaP/GaAs heterojunction bipolar transistors （HBTs） frequency divider （RFD） is presented in a 60-GHz-fT Intechnology. To achieve high operation bandwidth, active loads instead o...; 关键词：regenerative frequency divider InGaP/GaAs HBT active loads BROADBAND

新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2010年第1期23-26,68,共5页艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣; 国家自然科学基金项目(60676062);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB327502);中科院上海微系统所青年创新基金项目(2009QNCX05); 设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质...; 关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延砷化镓

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期426-429,共4页林玲徐安怀孙晓玮齐鸣; 国家重点基础研究规划资助项目(批准号:2002CB311902); InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料...; 关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 直流特性

InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展被引量：2: 《材料导报》2006年第12期5-7,共3页林玲徐安怀孙晓玮齐鸣; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902); 概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。; 关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 微波单片集成电路

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第9期1783-1788,共6页郭维廉齐海涛张世林钟鸣梁惠来毛陆虹宋瑞良周均铭王文新 C.Jagadish 傅岚; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311905)~~; 利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I...; 关键词：异质结双极晶体管双基区晶体管三端负阻器件逻辑功能器件

高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT: 《Journal of Semiconductors》2005年第1期92-95,共4页郑丽萍袁志鹏樊宇伟孙海锋狄浩成王素琴刘新宇吴德馨; 国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 2 );国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);科学院知识创新工程重要方向资助项目~~; 采用发射极基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该...; 关键词：功率附加效率 INGAP/GAAS 功率HBT

10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制被引量：1: 《电子学报》2004年第11期1782-1784,共3页袁志鹏刘洪刚刘训春吴德馨; 国家重大基础研究项目 (No G2 0 0 0 0 0 6830 4 0 3) ;中国科学院重大方向性项目 (No KGX2 1 0 1 ); 采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAsHBT技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 .该驱动电路的输出电压摆幅达到 3Vpp,上升时间为 34 2ps(2 0～ 80 % ) ,下降时间为 37 8ps(2 0～ 80 % ) ,输入端的阻抗匹配良好 (S11=- 12 3dB @10GHz...; 关键词：光发射机光调制器驱动电路 INGAP/GAAS HBT

Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTswith a Low Bias Voltage: 《Journal of Semiconductors》2004年第8期908-912,共5页郑丽萍孙海锋狄浩成樊宇伟王素琴刘新宇吴德馨; 国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 2 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);中国科学院知识创新工程资助项目~~; A self aligned InGaP/GaAs power HBTs for L band power amplifier with low bias voltage are described.Base emitter metal self aligning,air bridge,and wafer thinning are used to improve microwave power performance.A...; 关键词：self aligned INGAP power HBTs low bias voltage

晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响: 《Journal of Semiconductors》2004年第4期446-449,共4页石瑞英刘训春孙海峰袁志鹏; 国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~; 在对 In Ga P/ Ga As HBT特性的研究中发现 ,发射极长边与主对准边垂直 ([0 1 1 ]方向 )和平行 ([0 1 1 ]方向 )放置时 ,其直流电流增益和截止频率是不同的 .[0 1 1 ]方向的直流电流增益远远大于 [0 1 1 ]方向 ,而它的截止频率则略小于 ...; 关键词：INGAP/GAAS HBT晶向效应直流电流增益截止频率压电效应侧向腐蚀

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