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国家自然科学基金(60176015): 作品数：11被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：史峥严晓浪陈志锦王国雄付萍更多>>; 相关机构：浙江大学华东地质学院鞍山钢铁学院鞍山科技大学更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《微电子学》《微电子学与计算机》《计算机辅助设计与图形学学报》更多>>; 相关主题：光学邻近校正光刻模拟集成电路光刻光刻仿真更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

一种用于光刻模拟的新光源模型: 《江南大学学报（自然科学版）》2007年第5期528-531,共4页李智峰史峥陈晔; 国家自然科学基金项目(60176015); 讨论提出用连续的光源描述函数代替0～1分布的光源函数精确描述光源光强分布，以提高光刻分辨率．在SPIAT的基础上应用新的光源特征函数，建立新的光源模型，并结合测试模板进行仿真．结果显示，新的模型在精度上有较为明显的改善，新...; 关键词：光刻仿真光源光学临近校正

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术被引量：2: 《江南大学学报（自然科学版）》2006年第6期679-684,共6页李季史峥沈珊瑚陈晔; 国家自然科学基金项目(60176015); 讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨...; 关键词：离轴照明次分辨率辅助图形分辨率增强技术光刻模拟

一种超深亚微米下IC光刻透射成像的快速算法: 《微电子学与计算机》2006年第7期137-139,共3页付萍; 自然科学基金项目(60176015); 光学邻近效应校正(OPC)是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中,为了寻找合适的掩模补偿图形,必须迭代计算大量的空间稀疏分布的试探点成像。在这里提出了一种基于卷积核的快速稀疏空间光强的光刻仿真计算方法。一个双线性...; 关键词：超深亚微米光刻光学邻近效应主波卷积核

基于密集采样成像算法的全芯片可制造性检查技术: 《中国科学（E辑）》2005年第2期214-224,共11页严晓浪陈晔史峥马玥高根生; 国家自然科学基金(批准号: 60176015; 90207002);国家高技术研究发展计划(批准号: 2002AAZ1460) 资助项目; 分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology, RET)在集成电路制造中的应用使得光刻用掩模图形日趋复杂, 而掩模制造成本和制备时间也随之增加. 由于光刻工艺包含了一系列复杂的物理和化学过程, 分辨率增强技术本身很难保证其输...; 关键词：成像算法密集可制造性光刻掩模分辨率增强技术芯片采样加速算法计算机

基于模型的光学校正系统的设计与实现被引量：6: 《浙江大学学报（工学版）》2004年第5期521-524,548,共5页王国雄严晓浪史峥陈志锦; 国家自然科学基金资助项目(60176015).; 为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用...; 关键词：光刻模拟光学邻近校正移相掩模

用于光刻模拟的快速计算稀疏空间点光强的方法被引量：1: 《计算机辅助设计与图形学学报》2003年第7期783-786,794,共5页王国雄史峥严晓浪陈志锦高根生熊军; 国家自然基金 ( 60 1760 15 )资助; 使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性基于Gabor的“主波分解”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,再对空间图像进行高斯卷积来模...; 关键词：光刻仿真集成电路可靠性电学特性矩阵分解

一种基于SPLAT的离轴照明成像算法的研究与实现被引量：4: 《微电子学》2003年第3期180-183,共4页付萍王国雄史峥陈志锦严晓浪; 国家自然科学基金资助项目(60176015); 　如何提高光刻的分辨率已成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术。文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构造形式,介绍了部分相干的二维透射系统的仿真程序SPLAT的特点,并用SPLAT实现了一种新的照明结构,为实...; 关键词：光刻深亚微米IC工艺离轴照明光学邻近校正集成电路 SPLAT

A Kernel-Based Convolution Method to Calculate Sparse Aerial Image Intensity for Lithography Simulation被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2003年第4期357-361,共5页史峥王国雄严晓浪陈志锦高根生; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 1760 15 )~~; Optical proximity correction (OPC) systems require an accurate and fast way to predict how patterns will be transferred to the wafer.Based on Gabor's 'reduction to principal waves',a partially coherent imaging system ...; 关键词：lithography simulation optical proximity correction convolution kernels

一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法被引量：12: 《Journal of Semiconductors》2002年第7期766-771,共6页陈志锦史峥王国雄付萍严晓浪; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 0 176 0 15 )~~; 在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻...; 关键词：光刻二维成像轮廓提取光学邻近校正 OPC 集成电路

一种适于快速OPC的精确光刻胶剖面仿真算法被引量：4: 《微电子学》2002年第3期168-171,共4页王国雄史峥付萍陈志锦严晓浪; 国家自然科学基金资助项目 (6 0 176 0 15 ); 光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片...; 关键词：精确光刻胶剖面仿真算法光学邻近校正光刻仿真高斯滤波器集成电路

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