云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 江苏省自然科学基金(BK2005210)

江苏省自然科学基金(BK2005210): 作品数：15被引量：33H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：谢自力韩平张荣刘斌郑有炓更多>>; 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院南京电子器件研究所更多>>; 相关期刊：《功能材料》《半导体技术》《激光与红外》《物理学报》更多>>; 相关主题：MOCVD生长MOCVDALGANX射线衍射INN薄膜更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

MOCVD生长的全组分InGaN材料被引量：2: 《微纳电子技术》2009年第5期274-278,300,共6页徐峰吴真龙邵勇徐洲刘启佳刘斌谢自力陈鹏; 南京大学扬州光电研究院研发基金(2008003);国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家自然科学基金(6039072;60776001;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210); 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性质,XRD和Hall等测...; 关键词：INGAN X射线衍射原子力显微镜 X射线光电子能谱喇曼散射

n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2: 《中国科学（G辑）》2008年第9期1221-1227,共7页张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60731160628,60676057);教育部重大项目(编号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省自然科学基金(编号:BK2005210)资助项目; 系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表...; 关键词：N型GAN 表面形貌霍尔效应光致发光

AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响被引量：1: 《功能材料与器件学报》2008年第6期1031-1034,共4页陈国强陈敦军刘斌谢自力韩平张荣郑有炓; 国家自然科学基金(Nos.60406002;60676057);973(2006CB604905 and 2006CB604907);新世纪创新人才基金(NCET-05-0445);江苏省自然科学基金(BK2006126 and BK2005210); 主要研究了AlN钝化介质层对AlGaN/GaN异质结势垒层应力的修改以及应力的变化对二维电子气高温输运性质的影响。研究结果表明:AlN介质层会对AlGaN势垒层产生附加的平面压应变;AlN和传统的Si3N4钝化介质都能减轻AlGaN势垒层在高温下的应...; 关键词：AlGaN/GaN异质结钝化介质表面态二维电子气

高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度被引量：2: 《功能材料》2008年第8期1259-1260,1263,共3页李弋刘斌谢自力张荣修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技熙研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A103．2006AA03A118，2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072．60776001，60421003．60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210); 应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态。由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍...; 关键词：INGAN/GAN 多量子阱 In组分 X射线衍射

两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究: 《中国科学（E辑）》2008年第7期1080-1084,共5页刘启佳张荣谢自力刘斌徐峰姚靖聂超修向前韩平郑有炓龚海梅; 国家重点基础研究发展规划973项目(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展规划、国家自然科学基金(批准号:6039072,60776001,60421003,60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004);江苏省自然科学基金项目(批准号:BK2005210); 研究了利用有机化学气相沉积外延方法在c面宝石(α-Al2O3)衬底上两步法外延生长的氮化铝薄膜.缓冲层采用氮化铝成核层.原位反射谱表明氮化铝成核过程有别于氮化镓缓冲层成核,在优化的条件下显示出单一晶面取向.同时,X射线衍射分析表明...; 关键词：氮化铝 MOCVD 反射谱 XRD 透射光谱

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响被引量：2: 《半导体技术》2008年第S1期247-249,共3页陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平; 国家"973"重点基础研究项目(2006CB604900);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3...; 关键词：4H-SIC 缺陷肖特基二极管理想因子势垒高度测试

4H-SiC欧姆接触与测试方法研究被引量：5: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期38-41,共4页陈刚柏松李哲阳韩平; 国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.2...; 关键词：碳化硅欧姆接触特征接触电阻率退火

MOCVD制备InN薄膜的光学性质被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第11期1761-1764,共4页孔洁莹张荣刘斌谢自力张勇修向前郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(2006CB6049);国家高技术研究发展计划;国家自然科学基金(批准号:6039070;60476030;60421003);教育部重大项目(批准号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210);江苏省高等学校;南京大学研究生科研创新基金资助项目~~; 利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.68eV,接近...; 关键词：氮化铟吸收光谱光致发光谱椭圆偏振光谱

一维AlN纳米结构制备进展被引量：1: 《微纳电子技术》2007年第9期868-874,905,共8页童麟谢自力修向前张琦聂超刘斌张荣; 国家重点基础研究发展规划(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(60421003;60676057);教育部重大项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210); 采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构;同时研制成功多种一维纳米结构的阵列。用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几十微米;用碳纳米管模板法可以控制AlN纳米线的直径。同时,AlN...; 关键词：氮化铝一维纳米结构

用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究被引量：10: 《物理学报》2007年第11期6717-6721,共5页谢自力张荣修向前韩平刘斌陈琳俞慧强江若琏施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(973)(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60390072;60476030;60421003;60676057);教育部重大项目(批准号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210;BK2006126)资助的课题~~; 利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0; 关键词：ALGAN DBR 紫外探测器 MOCVD

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