国家自然科学基金(60727003)

作品数：8被引量：27H指数：3
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相关作者：李超波夏洋汪明刚刘邦武刘杰更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所昆明理工大学中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心兰州大学更多>>
相关期刊：《金属热处理》《核聚变与等离子体物理》《固体电子学研究与进展》《半导体技术》更多>>
相关主题：刻蚀发光二极管光刻纳米压印E类更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
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基于PSS刻蚀平台的真空微气压控制研究被引量：1
《光电工程》2013年第2期93-99,共7页林永奔 李勇滔 李超波 夏洋 汪明刚 陈焰 
国家自然科学基金资助项目(60727003)
针对当前图形化蓝宝石衬底ICP干法工艺刻蚀流程,对工艺腔室真空环境微气压调节非线性特征进行了动态监测,本文提出了一种基于自适应模糊PID的微气压控制算法。该算法利用质量流量计MFC及真空泵组减压阀的参数调节,实现真空环境微气压调...
关键词：图形化蓝宝石衬底 微气压 自适应模糊PID控制 MATLAB仿真 
图形化蓝宝石衬底工艺研究进展被引量：10
《半导体技术》2012年第7期497-503,581,共8页黄成强 夏洋 陈波 李超波 万军 汪明刚 饶志鹏 李楠 张祥 
国家自然科学基金资助项目(60727003)
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底...
关键词：图形化蓝宝石衬底 发光二极管 光刻 纳米压印 刻蚀 
黑硅制备及应用进展被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第4期387-392,共6页沈泽南 刘邦武 夏洋 刘杰 李超波 陈波 
国家重大专项资助项目(2009ZX02037);国家自然科学基金资助项目(60727003)
黑硅作为一种新型低反射率的硅材料,有良好的广谱吸收特性,在光电领域将有很好的应用前景。概括地介绍了黑硅的各种制备方法(飞秒激光扫描、化学腐蚀法和等离子体处理),以及黑硅在太阳能电池、光电二极管、场发射、太赫兹发射等领域的...
关键词：黑硅 飞秒激光 化学腐蚀 等离子体处理 太阳能电池 
全固态高效率射频电源被引量：5
《半导体技术》2011年第4期287-290,共4页秦威 李勇滔 李超波 夏洋 李英杰 赵章琰 许晓平 
国家科技重大专项(2009ZX02037);国家自然科学基金(60727003);中国科学院科研装备研制项目(YZ200755,YZ200940)
射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件，其性能的好坏直接关系到整个设备的性能。固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器，通过适当的阻抗匹配网络，最终的射频电源在500W的额定功率下，功率转换效率可以达到84％...
关键词：固态射频电源 E类 阻抗匹配网络 等离子体 全反射 
等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
《核聚变与等离子体物理》2010年第4期370-373,共4页汪明刚 刘杰 杨威风 李超波 夏洋 
国家科技重大专项(2009ZX02037);国家自然科学基金资助项目(60727003)
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该...
关键词：感应耦合等离子体 浸没注入 低能注入 注入掺杂 ENERGY 离子密度 注入深度 系统工作 掺杂离子浓度 二次离子质谱 直流电压源 射频功率源 径向均匀性 诊断结果 探针 离子剂量 技术设计 硅基片上 测试结果 圆柱形 
等离子喷涂氧化钇涂层的组织结构被引量：3
《金属热处理》2010年第10期16-18,共3页刘邦武 王文东 罗小晨 李超波 夏洋 
国家自然科学基金(60727003);国家重大科技专项基金(2009ZX02037和2008ZX02101-3)
利用大气等离子喷涂技术在铝基体上制备了氧化钇涂层,采用扫描电镜、X射线衍射仪和金相显微镜对涂层的组织结构进行分析。结果表明:利用等离子喷涂制备的氧化钇涂层没有裂纹,比较致密,其孔隙率为5.58%;涂层由立方相和单斜相组成,喷涂粉...
关键词：等离子喷涂 氧化钇 涂层 组织 
等离子体浸没离子注入技术与设备研究被引量：2
《半导体技术》2010年第7期626-629,共4页刘杰 汪明刚 杨威风 李超波 夏洋 
国家自然科学基金资助项目(60727003);国家重大专项项目(2009ZX02037)
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了...
关键词：等离子体浸没离子注入 超浅结 感应耦合 线圈结构 脉冲偏压电源 
InP/Si键合技术研究进展被引量：3
《电子工艺技术》2010年第1期12-15,共4页刘邦武 李超波 李勇涛 夏洋 
国家自然科学基金(项目编号:No.60727003);中国科学院科研装备研制项目(项目编号:No.YZ200940和No.YZ200755)
InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年...
关键词：SI INP 键合 层转移 
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