云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2006CB604900)

国家重点基础研究发展计划(2006CB604900): 作品数：12被引量：15H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：韩平谢自力张荣王荣华郑有炓更多>>; 相关机构：南京大学南京电子器件研究所江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>; 相关期刊：《真空科学与技术学报》《固体电子学研究与进展》《半导体技术》《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：化学气相淀积SI合金薄膜4H-SICLIGHT_EMITTING_DIODES更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

AlGaInP-Si glue bonded high performance light emitting diodes被引量：1: 《Chinese Physics B》2011年第8期354-357,共4页陈依新沈光地郭伟玲高志远; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03A121);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604900); We propose a new method of using conductive glue to agglutinate GaAs based A1CaInP light emitting diodes （LEDs） onto silicon substrate, and the absorbing GaAs layer is subsequently removed by grinding and selective ...; 关键词：glue agglutinated AlGaInP LEDs Si substrate luminous intensity

Internal quantum efficiency drop induced by the heat generation inside of light emitting diodes (LEDs)被引量：3: 《Chinese Physics B》2011年第1期562-565,共4页陈依新沈光地郭伟玲徐晨李建军; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2006AA03A121);the National Basic Research Program of China(Grant No.2006CB604900); The reasons for low output power of AlGalnP Light Emitting Diodes （LEDs） have been analysed. LEDs with AlGaInP material have high internal but low external quantum efficiency and much heat generated inside especiall...; 关键词：AlGaInP light emitting diodes internal quantum efficiency HEAT light power

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响被引量：2: 《半导体技术》2008年第S1期247-249,共3页陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平; 国家"973"重点基础研究项目(2006CB604900);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3...; 关键词：4H-SIC 缺陷肖特基二极管理想因子势垒高度测试

生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响: 《真空科学与技术学报》2008年第S1期52-55,共4页梅琴韩平王荣华吴军夏冬梅葛瑞萍赵红谢自力修向前张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605); 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合...; 关键词：Si1-xGex∶C合金薄膜扩散能量色散谱仪化学气相淀积

GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长: 《真空科学与技术学报》2008年第S1期9-12,共4页王荣华韩平曹亮梅琴吴军葛瑞萍谢自力陈鹏陆海顾书林张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605); 本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光...; 关键词：化学气相淀积 Ge薄膜 GAN 金属In

4H-SiC欧姆接触与测试方法研究被引量：5: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期38-41,共4页陈刚柏松李哲阳韩平; 国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.2...; 关键词：碳化硅欧姆接触特征接触电阻率退火

GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化被引量：3: 《稀有金属》2008年第1期28-33,共6页符凯张禹陈敦军韩平谢自力张荣; 国家重点基础研究发展规划973(2006CB604900);国家自然科学基金(6039072;60476030;60421003;60676057);教育部重大项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210;BK2006126); 根据现有氮化镓（GaN）金属有机物化学气相淀积（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了...; 关键词：氮化镓计算流体力学蒙特卡洛计算机模拟

用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长: 《稀有金属》2007年第S2期13-16,共4页王琦王荣华夏冬梅郑有炓韩平谢自力; 国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的SiC薄层,在此...; 关键词：碳化 SIC 应变SI

Si<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化: 《稀有金属》2007年第S2期5-8,共4页王荣华韩平王琦夏冬梅谢自力张荣; 国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...; 关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模

Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长被引量：1: 《激光与红外》2007年第B09期971-973,980,共4页姚靖谢自力刘斌韩平张荣江若琏刘启佳徐峰龚海梅施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210); 文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂A lGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂A lGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温A lN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保...; 关键词：金属有机物化学汽相淀积 Mg掺杂 P型AlGaN RAMAN光谱

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家重点基础研究发展计划(2006CB604900)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家重点基础研究发展计划(2006CB604900)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索