栅介质

作品数：268被引量：261H指数：6
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高k栅介质MOSFETs的二维阈值电压模型
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1725-1731,共7页季峰 徐静平 Lai P T 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376019)~~
给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布.根据这个电势分布,得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型,模型中考虑短沟道效应和高k栅介质的边缘场效应.模型模拟结果和实验结果能够很好地符合.通过和一个准二维模型的结果...
关键词：高K栅介质 MOSFET 阈值电压 边缘场 短沟效应 
HfO_2高k栅介质等效氧化层厚度的提取被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第5期852-856,共5页陈勇 赵建明 韩德栋 康晋锋 韩汝琦 
国防预研基金资助项目(批准号:51412010103DZ0215)~~
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法...
关键词：高介电常数栅介质 等效氧化层厚度 二氧化铪 
HfOxNy栅介质薄膜的电学特性
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期172-174,共3页蒋然 谢二庆 
用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空...
关键词：HfOxNy 溅射 空间电荷限制电流 离子跳跃电导 
恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1717-1721,共5页林钢 徐秋霞 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 3 65 0 4)~~
以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结...
关键词：恒压应力 超薄Si3N4/SiO2 叠层栅介质 超薄SiO2栅介质 栅介质寿命预测 
超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1306-1310,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
在分析半经典模型和量子模型的基础上 ,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型 .栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好 .
关键词：超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度 
恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2004年第8期1009-1012,共4页韩德栋 康晋锋 王成钢 刘晓彦 韩汝琦 王玮 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 ...
关键词：恒电流应力 高κ HFO2 击穿 
HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第7期841-846,共6页王成刚 韩德栋 杨红 刘晓彦 王玮 王漪 康晋锋 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏...
关键词：HFO2栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530 
多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
《Journal of Semiconductors》2004年第2期227-231,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电...
关键词：注氮 应力诱生泄漏电流 电介质击穿 
超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1099-1102,共4页章宁琳 宋志棠 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (Nos .G2 0 0 0 0 36 5 ;0 0 1CB6 10 40 8)~~
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空...
关键词：超高真空电子束蒸发法 全耗尽SOI MOSFET 高K栅介质 ZRO2 
Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制被引量：5
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1109-1114,共6页任驰 杨红 韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (No .G2 0 0 0 0 36 5 0 0 )~~
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有...
关键词：A12O3栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel-Poole发射 
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