键合强度

作品数：126被引量：254H指数：7
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碳化硅-玻璃-碳化硅阳极键合界面性能分析
《微纳电子技术》2025年第4期152-159,共8页刘淑文 阴旭 刘翠荣 许兆麒 于秀秀 王强 
国家自然科学基金(52375365)。
碳化硅(SiC)因其优异的高温性能和稳定性,被广泛认为是新一代高温半导体器件封装的理想材料。利用两步阳极键合工艺实现了碳化硅-玻璃-碳化硅的可靠连接。两步键合过程中,第一步和第二步中的峰值电流存在较大差异,尤其在第二步键合过程...
关键词：阳极键合 微电子机械系统(MEMS)封装 碳化硅-玻璃-碳化硅 富碳层 键合强度 
高精度薄厚膜异构HTCC基板制备工艺被引量：1
《微纳电子技术》2024年第7期150-155,共6页张鹤 杨鑫 谢岳 杨振涛 刘林杰 
针对高温共烧陶瓷(HTCC)基板高平整度、高密度封装需求,提出了一种高精度薄厚膜异构HTCC基板的制备方法,并对其关键工艺进行研究。结合陶瓷基板精密研磨工艺与薄膜制备工艺,该方法在大幅降低原有HTCC基板的平面度、粗糙度的同时,实现HTC...
关键词：多层共烧陶瓷 薄膜金属化 封装基板 异构集成 键合强度 
超声辅助对PEO-LiClO_(4)与Al阳极键合质量的影响
《微纳电子技术》2021年第6期539-544,共6页张丽佛 刘翠荣 阴旭 赵为刚 徐大伟 
国家自然科学基金资助项目(51875384);山西省自然科学基金资助项目(201801D121085)。
聚氧化乙烯-高氯酸锂(PEO-LiClO_(4))与Al的阳极键合工艺中,因键合温度较高,容易引起两者热膨胀系数不匹配、产生残余应力问题。针对这些问题,利用自主搭建的超声辅助阳极键合系统进行工艺实验,通过设计阳极键合与超声辅助键合的对比实...
关键词：封装 阳极键合 超声辅助 键合强度 聚氧化乙烯-高氯酸锂(PEO-LiClO_(4)) 
一种MEMS陀螺晶圆级真空封装工艺被引量：3
《微纳电子技术》2019年第3期248-252,共5页王帆 刘磊 张胜兵 刘阳 
为了提高MEMS陀螺的品质因数(Q值),提出了一种晶圆级真空封装工艺。先在陀螺盖帽晶圆上刻蚀出浅腔,然后在浅腔结构上制备钨(W)金属引线,再通过PECVD工艺淀积介质层,在介质层上制备钛/金(Ti/Au)键合环,最后将盖帽晶圆与制备好的结构晶圆...
关键词：MEMS陀螺 晶圆级真空封装 金硅共晶键合 真空泄漏速率 键合强度 Q值 
高g微机械加速度传感器芯片盖帽封装设计
《微纳电子技术》2018年第4期252-257,共6页康强 石云波 杨志才 赵永琪 许鑫 王彦林 焦静静 
国家自然科学基金杰出青年科学基金资助项目(51225504)
为了提高高g微机械加速度传感器在极端恶劣环境中应用的可靠性,根据自制的高g微机械加速度传感器芯片,研究设计了一种新型＂台阶式＂传感器芯片的盖帽封装结构。利用圆片级键合工艺和有限元分析（FEA）方法确定了盖帽封装结构材料与尺...
关键词：微机械 盖帽封装 有限元分析(FEA)方法 圆片级 键合强度 
阳极键合强度对高g加速度传感器输出特性影响被引量：3
《微纳电子技术》2016年第11期763-766,772,共5页冯恒振 秦丽 石云波 连树仁 孙亚楠 
山西省自然科学基金资助项目(2014011021-5)
晶圆键合强度是影响高g MEMS压阻式加速度传感器输出特性的主要因素之一。在200℃,200~800 V条件下完成硅-玻璃阳极键合实验,利用数字拉力机来表征不同参数条件下阳极键合强度,并用Matlab软件对实验数据进行处理,得到键合强度与键合晶...
关键词：阳极键合 键合强度 MEMS加速度传感器 冲击测试 键合参数 
碳化硅直接键合及其界面微观结构分析被引量：1
《微纳电子技术》2015年第11期729-732,746,共5页王心心 梁庭 贾平岗 王涛龙 刘雨涛 张瑞 熊继军 
国家杰出青年科学基金资助项目(51425505);国家自然科学基金资助项目(51405454)
针对碳化硅(SiC)材料在微电子制造和封装过程中广泛的应用前景,对碳化硅与碳化硅进行了直接键合实验。通过拉伸实验进行了样品键合强度的测试以及借助扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等对碳化硅键合样品界面的微观结构进行了分析。结...
关键词：碳化硅键合 键合强度 微观结构 亲水性表面处理 退火 过渡层 
基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合被引量：1
《微纳电子技术》2015年第5期325-328,共4页王亚彬 王晓光 郑丽 王成杨 宋尔冬 
提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检...
关键词：表面激活 表面态 高温退火 硅-硅直接键合(SDB) 空洞 键合强度 
不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响被引量：8
《微纳电子技术》2013年第9期576-580,共5页陈颖慧 施志贵 郑英彬 隆艳 王旭光 
中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室课题资助项目(2012CJMZZ00003;2012CJMZZ00006)
选取Ti/Au作为金属过渡层来实现低温硅-硅共晶键合。首先介绍了共晶键合的基本原理,分析了选择金-硅共晶键合的原因,设计了单面溅金、双面溅金以及不同温度下的硅-硅共晶键合实验。采用超声波显微镜对键合样品内部空洞缺陷进行了测试,...
关键词：键合 共晶 低温 超声波显微镜 键合强度 键合质量检测 
硅MEMS器件键合强度在线检测方法被引量：4
《微纳电子技术》2009年第12期758-763,共6页李仁锋 马凯 郑英彬 袁明权 施志贵 吴嘉丽 
国家部委基础科研资助项目
键合强度是MEMS器件研制中一个重要的工艺质量参数,键合强度检测对器件的可靠性具有十分重要的作用。为了获得MEMS器件制造工艺中的键合强度,提出了一种键合强度在线检测方法,并基于MEMS叉指式器件工艺介绍了一种新型键合强度检测结构;...
关键词：微电子机械系统 阳极键合 键合强度 微结构 在线检测 
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