硅单晶

作品数：596被引量：631H指数：11
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：杨德仁阙端麟刘丁马向阳李立本更多>>
相关机构：浙江大学北京有色金属研究总院西安理工大学中国科学院更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硅溶胶抛光液对硅单晶抛光片表面质量的影响被引量：2
《半导体技术》2021年第10期788-794,共7页索开南 张伟才 杨洪星 郑万超 
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化...
关键词：硅抛光片 硅溶胶 抛光液 Haze值 粗糙度 
水冷系统对直拉法生长大直径硅单晶拉速的影响
《半导体技术》2021年第4期305-309,共5页李明智 
在直拉法生长大直径硅单晶过程中,单晶炉内的温度梯度直接影响单晶生长的质量。分析了炉体内添加水冷板后循环水流速对系统固相温度梯度的影响。研究发现在不影响单晶炉内固液界面处熔体表面温度的前提下,增大固液界面处固相温度梯度可...
关键词：硅单晶生长 水冷系统 固液界面 晶体生长 温度梯度 
晶体生长速度对硅单晶微缺陷影响的数值模拟被引量：3
《半导体技术》2012年第3期206-211,共6页常麟 崔彬 周旗钢 戴小林 吴志强 肖清华 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401);国际科技合作项目(2007DFC50310)
利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律。随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐渐增大,如水晶起源粒子(crystal origi...
关键词：直拉硅单晶 晶体生长速度 微缺陷 有限元分析 数值模拟 
初始埚位对单晶少子寿命的影响被引量：3
《半导体技术》2011年第10期782-785,共4页任丽 罗晓英 李宁 王倩 
在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg。采用5种不同的初始埚位(-50,-60,-70,-80,-90 mm),其他工艺参数相同的晶体生长工艺,拉制了5根200 mm、p型、晶向〈100〉、电阻率2Ω.cm的单晶硅棒。待硅棒冷却后...
关键词：直拉硅单晶 初始埚位 少子寿命 氧含量 硅棒 
过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响被引量：3
《半导体技术》2011年第5期373-377,392,共6页王飞尧 孙新利 饶伟星 何国君 王伟棱 
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。...
关键词：小角晶界 过冷度 硅单晶 重掺硼 掺杂浓度 
密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量：1
《半导体技术》2011年第2期136-139,共4页刘锋 韩焕鹏 李丹 王世援 吴磊 周传月 莫宇 
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面...
关键词：硅单晶 〈111〉晶向 直拉法 高晶转 密闭式热场 
重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
《半导体技术》2010年第12期1178-1182,共5页曹孜 石宇 李惠 孙燕 边永智 翟富义 
国家重大科技专项项目(2008ZX02401;2010ZX02302)
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速...
关键词：重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测 
热场结构对直拉硅单晶生长能耗影响分析被引量：5
《半导体技术》2010年第12期1183-1185,共3页邓树军 高宇 姜舰 戴小林 吴志强 刘冰 
国家科技重大专项项目(2008zx02401)
结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧凑的热场结构及使用低热导率的保温材料。使用小口径热屏对降低能耗有显著的效果。改进热场结构:减小加...
关键词：模拟 硅单晶 能耗 热场 直拉 
高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化
《半导体技术》2010年第12期1186-1189,1221,共5页闫萍 张殿朝 索开南 庞炳远 
在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命...
关键词：高阻 区熔硅 少子寿命 单晶生成 径向不均匀性 
直拉法硅单晶生长时晃动的分析及控制被引量：3
《半导体技术》2010年第11期1083-1086,共4页李巨晓 孙新利 王飞尧 何国君 
晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象。晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及杂质微观扩散的紊乱。这不仅对硅单晶的无位错生长造成一定的困难,而且对硅单晶的品质有十分不利的影响...
关键词：硅单晶 晃动 单摆 晶转 直拉法 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部