反应离子

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MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究被引量：3
《传感技术学报》2016年第2期202-207,共6页何凯旋 黄斌 段宝明 宋东方 郭群英 
分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将...
关键词：MEMS 硅玻键合 硅硅键合 深反应离子刻蚀 保护方法 
Notching效应在MEMS风速仪制造工艺中的应用被引量：1
《传感技术学报》2013年第2期191-194,共4页常洪龙 周平伟 谢建兵 杨勇 谢中建 袁广民 
国家自然科学基金项目(61273052);安全技术交通行业重点实验室开放课题项目
深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应...
关键词：MEMS风速仪 悬空硅 横向刻蚀效应 深反应离子刻蚀 
微机械陀螺DRIE刻蚀过程中的局域掩膜效应被引量：2
《传感技术学报》2010年第8期1070-1074,共5页冷悦 焦继伟 张颖 顾佳烨 颜培力 宓斌玮 
国家自然科学基金项目资助(60772030;60876079)
在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱...
关键词：MEMS陀螺 深反应离子刻蚀 非对称结构 局域掩膜效应 模态失配 
一种电容式微机械加速度计的设计被引量：10
《传感技术学报》2008年第2期226-229,共4页郑旭东 曹学成 郑阳明 罗斯建 王跃林 金仲和 
国家重点基础研究发展计划资助(973计划)(2006CB300405)
介绍了一种新型基于滑膜阻尼的电容式微机械加速度计。该加速度计根据差分电容极板间正对面积的改变来检测加速度大小,保证了输出电压与加速度之间的线性度。对加速度计进行了结构设计和分析。给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决...
关键词：电容式加速度计 微机电系统 深反应离子刻蚀 滑膜阻尼 
基于NEMS技术的介电泳芯片及其关键工艺问题的研究被引量：2
《传感技术学报》2006年第05B期1978-1982,共5页刘泳宏 赵湛 
国家自然科学基金资助项目(60572014)
结合信息技术、生物技术与纳米技术的发展,提出一种基于NEMS技术的“三维纳隙网格阵列微电极生物传感器”设计,用于生物样品在蛋白或细胞水平上的介电泳分离和检测.重点针对传感器制作的关键工艺问题,创新性地提出了一种利用反应离子刻...
关键词：生物传感器 介电泳 反应离子刻蚀 NEMS技术 
MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究被引量：7
《传感技术学报》2006年第05A期1426-1429,1433,共5页张鉴 黄庆安 李伟华 
国家杰出青年科学基金资助课题(50325519)
反应离子深刻蚀(DRIE)是目前MEMS加工中便捷有效的主流加工工艺之一.开发较为快捷有效的工艺仿真模型与工具,对于工艺的数值预报,有着重要的作用.通过对现有表面演化算法的比较,建立了一种基于单一表面演化算法的反应离子深刻蚀模型,有...
关键词：反应离子深刻蚀 表面演化算法 模型 仿真 
采用RIE沉积法研制微纳工艺中的防粘连层被引量：3
《传感技术学报》2006年第05A期1395-1397,1400,共4页顾盼 刘景全 陈迪 孙洪文 
上海市科委纳米专项资助(0352nm010)
摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统(MEMS)工艺性能和可靠性的主要因素.针对MEMS/NEMS中微构件表面改性问题,采用反应离子刻蚀(RIE)在硅片表面沉积氟化物薄膜,以达到降低硅片的表面能,减少其摩擦和粘附的目的.实验还将RIE沉积法制得...
关键词：反应离子刻蚀 表面能 微机电系统 防粘连膜 
基于α∶CH薄膜的微齿轮的制备被引量：1
《传感技术学报》2006年第05A期1398-1400,共3页张继成 吴卫东 唐永建 
中国工程物理研究院重大基金项目资助(2005Z0805)
采用低压等离子体化学气相沉积技术在硅片上制备出α∶CH薄膜,以金属铝作为掩膜,利用电子回旋共振微波等离子体反应离子刻蚀法制备微齿轮,再用化学腐蚀的办法将所制备的齿轮从硅片上剥离下来,最后清洗干净后用毛细管把微齿轮组装到一个...
关键词：微齿轮 反应离子刻蚀(RIE) α:CH薄膜 
用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备被引量：3
《传感技术学报》2006年第05A期1415-1418,共4页陈特超 禹庆荣 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
关键词：微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备 
一种新结构硅微机械压阻加速度计被引量：12
《传感技术学报》2005年第3期500-503,共4页陈雪萌 李昕欣 宋朝晖 王跃林 黄晖 黄树森 张鲲 
设计、制造并测试了一种新结构硅微机械压阻加速度计。器件结构是悬臂梁-质量块结构的一种变形。比较硬的主悬臂梁提供了一定的机械强度,并且提供了高谐振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻就扩散在微梁上,质量块很小...
关键词：微机械 加速度计 压阻 深反应离子刻蚀 
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