高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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具有均匀凹槽势垒结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
《桂林电子科技大学学报》2021年第4期266-272,共7页田雨 陈永和 代一丹 刘子玉 马旺 
国家自然科学基金(6216030144);广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025);桂林电子科技大学研究生教育创新计划(桂科AD18281037)。
为了改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的表面电场、温度分布,提升器件击穿电压和稳定性,提出了一种具有均匀凹槽势垒(UGB)的新型AlGaN/GaN HEMT器件结构。UGB-AlGaN/GaN HEMT结构通过在栅电极和漏电极之间引入均匀分布的凹槽AlGaN势垒,降低了...
关键词：ALGAN/GAN 凹槽势垒 电场 击穿 
一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构
《微电子学与计算机》2020年第8期27-31,36,共6页李佳 陈万军 孙瑞泽 信亚杰 
国家自然科学基金项目(60906037,61274090)。
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟道电场来降低沟道温度.该结构采用混合势垒层设计,将栅极下方的势垒层分为两层,上层采用AlN,下层采用重...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 沟道温度 混合势垒层 
势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
《半导体技术》2018年第12期905-911,共7页杨鹏 杨琦 刘帅 
普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)...
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件 漏极离子轻掺杂(LDD)技术 增强型HEMT 击穿电压 氢离子注入 
InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
《固体电子学研究与进展》2017年第5期299-302,共4页朱广润 孔月婵 张凯 郁鑫鑫 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61474101;61504125)
提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA/mm时器件的DIBL=16...
关键词：InAlGaN GAN 高频 高电子迁移率晶体管 
AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响
《半导体技术》2016年第5期378-383,共6页王维 顾国栋 敦少博 吕元杰 
利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测试结果表明,有背势垒结构的器件最大饱和电流密度和峰值跨导要小于无背势垒结构器件,栅压偏置为+1 V时,无...
关键词：AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) SIC衬底 AlGaN背势垒 直流(DC)特性 射频(RF)特性 
AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管被引量：4
《物理学报》2016年第3期379-384,共6页王冲 赵梦荻 裴九清 何云龙 李祥东 郑雪峰 毛维 马晓华 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:61574110;61574112;61106106)资助的课题~~
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压...
关键词：双异质结 增强型器件 F等离子体 漏致势垒降低效应 
毫米波AlGaN/GaN HEMT交流特性研究被引量：1
《微波学报》2012年第6期12-15,共4页程知群 靳立伟 冯志红 
浙江省自然科学基金资助项目(Z1110937)
毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS...
关键词：势垒层 ALGAN GAN高电子迁移率晶体管 频率特性 
Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期394-397,共4页马志勇 王晓亮 胡国新 肖红领 王翠梅 冉军学 李建平 
中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)以及国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该...
关键词：ALGAN/ALN/GAN Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2001年第5期15-17,共3页
N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199～211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-6...
关键词：高电子迁移率晶体管 肖特基势垒栅场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 开发与应用 情报通信 器件 高功率 研究报告 硅材料 结型晶体管 
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