PECVD

作品数：718被引量：1141H指数：13
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a-Si∶H/a-SiC∶H多层薄膜的光、电特性研究
《功能材料》2016年第10期10153-10156,共4页蒋冰 丁宁 陈乙豪 马蕾 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61204079);河北省自然科学基金资助项目(F2013201196)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH_4、CH_4和H_2为反应气体,在单晶硅和石英衬底上制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)对样品的微结构进行了表征,同时对其电子输运性质和光吸收特性进行了实验研...
关键词：PECVD 多层薄膜 微结构特征 电子输运性质 光吸收特性 
SiO_2薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究被引量：5
《功能材料》2014年第22期22091-22095,共5页郝天亮 陈钢进 
浙江省自然科学基金资助项目(Y407208)
SiO2驻极体具有优异的电荷储存能力,其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点,一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种...
关键词：驻极体 SIO2薄膜 微观结构 PECVD 电子束蒸发 
α-SiO_x∶H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析被引量：4
《功能材料》2014年第9期101-103,共3页黄海宾 张东华 汪已琳 龚洪勇 高江 Wolfgang R.Fahrner 周浪 
国家自然科学基金资助项目(61306084);教育部博士点基金资助项目(20113601120006)
氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的...
关键词：氢化非晶氧化硅 PECVD 硅片表面钝化 空位浓度 氢含量 
退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响被引量：1
《功能材料》2011年第6期1001-1003,共3页王果 卢景霄 李新利 高海波 焦岳超 李瑞 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202601)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较...
关键词：p型微晶硅 退火 PECVD 晶化率 表面粗糙度 
用PECVD制备高抗腐蚀性能SiN_x薄膜的工艺研究被引量：3
《功能材料》2010年第11期1907-1910,共4页刘瑞文 焦斌斌 欧毅 陈大鹏 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2007AA04Z323)
研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的...
关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) SiNx薄膜 湿法腐蚀 
纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池被引量：7
《功能材料》2007年第10期1741-1744,共4页张心强 张维佳 武美伶 贾士亮 刘浩 李国华 
在较高工作气压（332.5-399Pa）下,采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）测试技术对其进行了测试和分析。结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存...
关键词：纳米硅 薄膜 PECVD HIT 太阳能电池 
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
《功能材料》2007年第A01期25-28,共4页张化福 刘汉法 祁康成 
基金项目：电子科技大学青年基金资助项目（YF020503）
以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（P-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的...
关键词：PECVD SiN薄膜 反应源气体流量比 反应压强 
用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜被引量：1
《功能材料》2007年第A04期1492-1494,共3页宋佩珂 曾祥斌 张锐 赵伯芳 
基金项目：国家“863”计划项目（2006AA052406）
带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算...
关键词：本征非晶硅薄膜 HIT PECVD 
PECVD法生长氮化硅工艺的研究被引量：31
《功能材料》2007年第5期703-705,710,共4页吴清鑫 陈光红 于映 罗仲梓 
国家基金青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应...
关键词：PECVD 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力 射频MEMS开关 
等离子体状态对PECVDSiC薄膜微结构的影响被引量：2
《功能材料》2004年第1期80-81,88,共3页王静静 廖波 刘维 王波 宋雪梅 严辉 
国防科技预研跨行业基金资助项目(00J12.1.4.BQ119);北京自然科学基金资助项目(2992002)
　在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状态的两个主要参数———等离子体成分及离子能量来起作用的。在此基础上,讨论了等离子体状态在SiC薄膜...
关键词：工作气压 氢稀释度 PECVD 等离子体成分 离子能量 微结构 SIC薄膜 
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